[發(fā)明專(zhuān)利]一種檢測(cè)IGBT使用壽命是否達(dá)標(biāo)的方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611110933.1
• 申請(qǐng)日: 2016-12-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108169650B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇軍;曾德志;邱文淵;徐學(xué)海
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市藍(lán)海華騰技術(shù)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/26
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 深圳中一專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 陽(yáng)開(kāi)亮

本發(fā)明公開(kāi)了一種檢測(cè)IGBT使用壽命是否達(dá)標(biāo)的方法及裝置，涉及IGBT模塊測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種檢測(cè)IGBT使用壽命是否達(dá)標(biāo)的方法，通過(guò)根據(jù)用戶(hù)設(shè)置的參數(shù)測(cè)試對(duì)象生成相應(yīng)的測(cè)試信號(hào)；根據(jù)測(cè)試信號(hào)對(duì)IGBT連續(xù)進(jìn)行N次循環(huán)測(cè)試；當(dāng)IGBT的工作溫度首次大于溫度閾值時(shí)，獲取IGBT芯片與外殼的第一溫差值；若IGBT的第一溫差值大于0，在第N次測(cè)試中，當(dāng)IGBT的工作溫度大于所述溫度閾值時(shí)，獲取IGBT芯片與所述外殼的第二溫差值；若IGBT的第二溫差值與IGBT的第一溫差值的差大于預(yù)設(shè)閾值，輸出第一信號(hào)以提示IGBT使用壽命不達(dá)標(biāo)；反之，輸出第二信號(hào)以提示IGBT使用壽命達(dá)標(biāo)。使得檢測(cè)IGBT使用壽命是否達(dá)標(biāo)的步驟更簡(jiǎn)單，降低了檢測(cè)成本，更易推廣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及IGBT模塊測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種檢測(cè)IGBT使用壽命是否達(dá)標(biāo)的方法及裝置。

背景技術(shù)

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種大功率的電子器件，當(dāng)IGBT作為電子開(kāi)關(guān)在電路中時(shí)，截止、導(dǎo)通以及持續(xù)導(dǎo)通都會(huì)產(chǎn)生熱量，進(jìn)而改變IGBT內(nèi)部應(yīng)力分布，使得IGBT具有一定的使用壽命。

雖然，現(xiàn)有技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)IGBT進(jìn)行使用壽命的檢測(cè)，但是現(xiàn)有技術(shù)是通過(guò)功率循環(huán)試驗(yàn)機(jī)對(duì)IGBT進(jìn)行功率循環(huán)測(cè)試，同時(shí)采用X光掃描設(shè)備對(duì)IGBT進(jìn)行掃描，以計(jì)算IGBT在焊錫層上的空洞率等信息，進(jìn)而判斷IGBT使用壽命是否達(dá)標(biāo)，可見(jiàn)現(xiàn)有技術(shù)在實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT進(jìn)行使用壽命的檢測(cè)時(shí)，不僅需要功率循環(huán)試驗(yàn)機(jī)，還需要配置相應(yīng)的X光掃描設(shè)備。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)在實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT進(jìn)行使用壽命的檢測(cè)時(shí)存在實(shí)現(xiàn)成本高的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種檢測(cè)IGBT使用壽命是否達(dá)標(biāo)的方法及裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT進(jìn)行功率循環(huán)測(cè)試時(shí)存在實(shí)現(xiàn)成本高的問(wèn)題。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種檢測(cè)IGBT使用壽命是否達(dá)標(biāo)的方法，所述IGBT包括IGBT芯片、負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻以及外殼，所述方法包括：

根據(jù)用戶(hù)設(shè)置的參數(shù)測(cè)試對(duì)象生成相應(yīng)的測(cè)試信號(hào)，其中，所述測(cè)試信號(hào)使所述IGBT完成多次導(dǎo)通與截止；

根據(jù)所述測(cè)試信號(hào)對(duì)所述IGBT連續(xù)進(jìn)行N次循環(huán)測(cè)試，其中，所述N為大于1的整數(shù)；

當(dāng)所述IGBT的工作溫度首次大于溫度閾值時(shí)，獲取所述IGBT芯片與所述外殼的第一溫差值，其中，所述溫度閾值為所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻的溫度閾值；

若所述IGBT的第一溫差值大于0，在第N次測(cè)試中，當(dāng)所述IGBT的工作溫度大于所述溫度閾值時(shí)，獲取所述IGBT芯片與所述外殼的第二溫差值；

若所述IGBT的第二溫差值與所述IGBT的第一溫差值的差大于預(yù)設(shè)閾值，輸出第一信號(hào)以提示所述IGBT使用壽命不達(dá)標(biāo)；

若所述IGBT的第二溫差值與所述IGBT的第一溫差值的差小于或等于預(yù)設(shè)閾值，輸出第二信號(hào)以提示所述IGBT使用壽命達(dá)標(biāo)。

本發(fā)明的目的還在于提供一種檢測(cè)IGBT使用壽命是否達(dá)標(biāo)的裝置，所述IGBT包括IGBT芯片、負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻以及外殼，所述裝置包括：

信號(hào)生成模塊，用于根據(jù)用戶(hù)設(shè)置的參數(shù)測(cè)試對(duì)象生成相應(yīng)的測(cè)試信號(hào)，其中，所述測(cè)試信號(hào)使所述IGBT完成多次導(dǎo)通與截止；

測(cè)試模塊，用于根據(jù)所述測(cè)試信號(hào)對(duì)所述IGBT連續(xù)進(jìn)行N次循環(huán)測(cè)試，其中，所述N為大于1的整數(shù)；

第一獲取單元，用于當(dāng)所述IGBT的工作溫度首次大于溫度閾值時(shí)，獲取所述IGBT芯片與所述外殼的第一溫差值，其中，所述溫度閾值為所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻的溫度閾值；