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[發明專利]一種檢測IGBT使用壽命是否達標的方法及裝置有效

專利信息
申請號: 201611110933.1 申請日: 2016-12-06
公開(公告)號: CN108169650B 公開(公告)日: 2020-04-14
發明(設計)人: 蘇軍;曾德志;邱文淵;徐學海 申請(專利權)人: 深圳市藍海華騰技術股份有限公司
主分類號: G01R31/26 分類號: G01R31/26
代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237 代理人: 陽開亮
地址: 518000 廣東省深圳*** 國省代碼: 廣東;44
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 檢測 igbt 使用壽命 是否 達標 方法 裝置
【權利要求書】:

1.一種檢測IGBT使用壽命是否達標的方法,所述IGBT包括IGBT芯片、負溫度系數熱敏電阻以及外殼,其特征在于,所述方法包括:

根據用戶設置的參數測試對象生成相應的測試信號,其中,所述測試信號使所述IGBT完成多次導通與截止,所述參數測試對象包括電流值或者通斷頻率;

根據所述測試信號對所述IGBT連續進行N次循環測試,其中,所述N為大于1的整數;

當所述IGBT的工作溫度首次大于溫度閾值時,獲取所述IGBT芯片與所述外殼的第一溫差值,其中,所述溫度閾值為所述負溫度系數熱敏電阻的溫度閾值;

若所述IGBT的第一溫差值大于0,在第N次測試中,當所述IGBT的工作溫度大于所述溫度閾值時,獲取所述IGBT芯片與所述外殼的第二溫差值;

若所述IGBT的第二溫差值與所述IGBT的第一溫差值的差大于預設閾值,輸出第一信號以提示所述IGBT使用壽命不達標;

若所述IGBT的第二溫差值與所述IGBT的第一溫差值的差小于或等于預設閾值,輸出第二信號以提示所述IGBT使用壽命達標。

2.如權利要求1所述的檢測IGBT使用壽命是否達標的方法,其特征在于,所述測試信號為PWM開關頻率控制信號,所述根據所述測試信號對所述IGBT連續進行N次循環測試,包括:

根據所述PWM開關頻率控制信號對所述IGBT進行N次循環測試。

3.如權利要求1所述的檢測IGBT使用壽命是否達標的方法,其特征在于,所述獲取所述IGBT的第一溫差值,包括:

通過紅外熱成像獲取所述IGBT中所述IGBT芯片的第一溫度和所述外殼的第一溫度;

對所述IGBT芯片的第一溫度與所述外殼的第一溫度求差,得到所述第一溫差值。

4.如權利要求1所述的檢測IGBT使用壽命是否達標的方法,其特征在于,所述獲取所述IGBT的第二溫差值,包括:

通過紅外熱成像獲取所述IGBT中IGBT芯片的第二溫度和外殼的第二溫度;

對所述IGBT芯片的第二溫度與所述外殼的第二溫度求差,得到所述第二溫差值。

5.一種檢測IGBT使用壽命是否達標的裝置,所述IGBT包括IGBT芯片、負溫度系數熱敏電阻以及外殼,其特征在于,所述裝置包括:

信號生成模塊,用于根據用戶設置的參數測試對象生成相應的測試信號,其中,所述測試信號使所述IGBT完成多次導通與截止,所述參數測試對象包括電流或者通斷頻率;

測試模塊,用于根據所述測試信號對所述IGBT連續進行N次循環測試,其中,所述N為大于1的整數;

第一獲取模塊,用于當所述IGBT的工作溫度首次大于溫度閾值時,獲取所述IGBT芯片與所述外殼的第一溫差值,其中,所述溫度閾值為所述負溫度系數熱敏電阻的溫度閾值;

第二獲取模塊,用于若所述IGBT的第一溫差值大于0,在第N次測試中,當所述IGBT的工作溫度大于所述溫度閾值時,獲取所述IGBT芯片與所述外殼的第二溫差值;

第一輸出模塊,用于若所述IGBT的第二溫差值與所述IGBT的第一溫差值的差大于預設閾值,輸出第一信號以提示所述IGBT使用壽命不達標;

第二輸出模塊,用于若所述IGBT的第二溫差值與所述IGBT的第一溫差值的差小于或等于預設閾值,輸出第二信號以提示所述IGBT使用壽命達標。

6.如權利要求5所述的檢測IGBT使用壽命是否達標的裝置,其特征在于,所述測試信號為PWM開關頻率控制信號,所述測試模塊具體用于,根據所述PWM開關頻率控制信號對所述IGBT進行N次循環測試。

7.如權利要求5所述的檢測IGBT使用壽命是否達標的裝置,其特征在于,所述第一獲取模塊包括:

第一溫度獲取單元,用于通過紅外熱成像獲取所述IGBT中所述IGBT芯片的第一溫度和所述外殼的第一溫度;

第一計算單元,用于對所述IGBT芯片的第一溫度與所述外殼的第一溫度求差,得到所述第一溫差值。

8.如權利要求5所述的檢測IGBT使用壽命是否達標的裝置,其特征在于,所述第二獲取模塊包括:

第二溫度獲取單元,用于通過紅外熱成像獲取所述IGBT中IGBT芯片的第二溫度和外殼的第二溫度;

第二計算單元,用于對所述IGBT芯片的第二溫度與所述外殼的第二溫度求差,得到所述第二溫差值。

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