[發明專利]一種尋找覆蓋區矽卡巖型鐵銅金礦的方法

在審

• 申請號: 201611110474.7
• 申請日: 2016-12-06
• 公開（公告）號: CN106772677A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 汪青松;崔先文;張凱;王芝水;產思維
• 申請（專利權）人: 安徽省勘查技術院
• 主分類號: G01V11/00
• 分類號: G01V11/00
• 代理公司: 安徽匯樸律師事務所34116
• 代理人: 李啟勝

技術領域

本發明涉及地球物理勘探領域，尤其涉及的是一種尋找覆蓋區矽卡巖型鐵銅金礦的方法。

背景技術

在深部巖漿向上侵入地層過程中，巖漿首先進入圍巖裂隙中排擠圍巖，同時伴隨的巖漿熱液不斷侵蝕的圍作用巖，部分圍巖被迫從地層中分離出來，并被巖漿包裹，形成圍巖捕虜體。當中酸性巖漿巖侵入碳酸鹽巖類地層時，往往會發生矽卡巖化、大理巖化和成礦作用，在圍巖接觸帶及附近形成矽卡巖型礦床。被巖漿包裹的碳酸鹽巖類圍巖(即圍巖捕虜體)，在被高溫巖漿烘烤產生大理巖化蝕變的同時，其接觸帶也在發生矽卡巖化作用，是形成矽卡巖型礦床有利部位。因此，大理巖捕虜體是非常有利的成礦地質體，其接觸是有利的控礦構造。

隨著地殼上升，巖體上部地層被剝蝕，巖體、圍巖、捕虜體露出地表。利用地質測量、地球化學測量、山地工程等方法，即可查明地層捕虜體構造情況和矽卡巖化蝕變情況，如有礦化即被發現。當地殼發生下降運動，出露的巖體、圍巖和捕虜體再次埋入地下，被新生界等松散沉積物覆蓋時，則上述地面地質調查方法無法開展。

由此可見，在中酸性巖體內部及接觸附近，大理巖捕虜體是成礦有利條件或為成礦地質體。但是，在覆蓋區，如何尋找礦化大理巖捕虜體難度較大。根據大理巖捕虜體密度相對較高的條件，可以利用重力勘探方法，但是識別捕虜體的分辨率不高，難以直接滿足鉆探定位的技術要求。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的不足，提供了一種尋找覆蓋區矽卡巖型鐵銅金礦的方法。

本發明是通過以下技術方案實現的：一種尋找覆蓋區矽卡巖型鐵銅金礦的方法，其特征在于步驟如下：

步驟一、分析成礦地質條件編制勘查區成礦建造構造圖；

步驟二、根據成礦建造構造圖，確定找礦靶區；

找礦靶區選擇條件包括：①處于巖體與碳酸鹽巖地層內外接觸帶；

②巖體為燕山期中酸性閃長(玢)巖、石英二長閃長(玢)巖、花崗閃長(斑)巖和二長花崗巖中的一種或多種；

③地層為古生界寒武系中上統富鎂碳酸鹽巖(大理巖)和奧陶系下統鈣鎂碳酸巖地層；

④大地構造位置為華北地臺。

步驟三、在找礦靶區開展CSAMT法剖面測量，判斷礦化大理巖捕虜體位置；

步驟四、在礦化大理巖捕虜體位置鉆探驗證礦藏。

作為對上述方案的進一步改進，所述步驟三中判斷礦化大理巖捕虜體位置的具體方法如下：①繪制找礦靶區CSAMT電阻率斷面圖；②在CSAMT電阻率斷面圖中篩選高阻蘑菇狀異常區域或高阻孤島狀異常區域；③在高阻蘑菇狀異常區域或高阻孤島狀異常區域周圍出現伴生低阻異常區域，判斷該低阻異常區域為化大理巖捕虜體所在區域。

作為對上述方案的進一步改進，所述低阻異常區域出現在緊靠高阻蘑菇狀異常區域或高阻孤島狀異常區域，低阻異常區域的電阻率小于300歐姆·米。

作為對上述方案的進一步改進，所述高阻蘑菇狀異常區域的蘑菇傘蓋直徑為500-1500米，傘蓋頂部到蘑菇根部深度為500-1000米，蘑菇頂部埋深100-300米，蘑菇根部部位電阻率與圍巖電阻率差值為500-1000歐姆·米，其核部電阻率高，電阻率值與圍巖電阻率值相當。

作為對上述方案的進一步改進，所述高阻孤島狀異常呈橢圓形，其長軸長度為200-500米，短軸長度約為100-400米，其核部電阻率為1000-3000歐姆·米。

作為對上述方案的進一步改進，勘查區成礦建造構造圖按照以下方法編制：收集勘查區以往地質礦產和物探資料，編制基巖地質礦產草圖；在勘查區開展1/5萬高精度重力測量和1/2.5萬高精度磁法測量進行隱伏巖體和地層構造推斷解釋；結合區域地質構造特征；編制基巖地質礦產圖；根據基巖地質礦產圖結合區域成礦規律，分析成礦地質條件，編制成礦建造構造圖。

本發明相比現有技術具有以下優點：根據大理巖、礦石(礦化巖石)、巖體三者之間存在的電阻率高-低-高差異，提出了利用CSAMT法尋找大理巖捕虜體的技術方案，實現間接找礦目的，為覆蓋區找礦增添了有效方法。

附圖說明

圖1是高阻蘑菇狀異常的CSAMT電阻率斷面圖例。

圖2是高阻孤島狀異常的CSAMT電阻率斷面圖例一。

圖3是高阻孤島狀異常的CSAMT電阻率斷面圖例二。

具體實施方式

下面對本發明的實施例作詳細說明，本實施例在以本發明技術方案為前提下進行實施，給出了詳細的實施方式和具體的操作過程，但本發明的保護范圍不限于下述的實施例。