[發(fā)明專利]一種尋找覆蓋區(qū)矽卡巖型鐵銅金礦的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611110474.7 | 申請日: | 2016-12-06 | 
| 公開(公告)號: | CN106772677A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 | 
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 汪青松;崔先文;張凱;王芝水;產(chǎn)思維 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽省勘查技術(shù)院 | 
| 主分類號: | G01V11/00 | 分類號: | G01V11/00 | 
| 代理公司: | 安徽匯樸律師事務(wù)所34116 | 代理人: | 李啟勝 | 
| 地址: | 230001 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 | 
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 尋找 覆蓋 區(qū)矽卡巖型鐵銅 金礦 方法 | ||
1.一種尋找覆蓋區(qū)矽卡巖型鐵銅金礦的方法,其特征在于步驟如下:
步驟一、分析成礦地質(zhì)條件編制勘查區(qū)成礦建造構(gòu)造圖;
步驟二、根據(jù)成礦建造構(gòu)造圖,確定找礦靶區(qū);
找礦靶區(qū)選擇條件包括:①處于巖體與碳酸鹽巖地層內(nèi)外接觸帶;
②巖體為燕山期中酸性閃長巖、酸性閃長玢巖、石英二長閃長巖、石英二長閃長玢巖、花崗閃長巖、花崗閃長斑巖和二長花崗巖中的一種或多種;
③地層為古生界寒武系中上統(tǒng)富鎂碳酸鹽巖或大理巖和奧陶系下統(tǒng)鈣鎂碳酸巖地層;
④大地構(gòu)造位置為華北地臺。
步驟三、在找礦靶區(qū)開展CSAMT法剖面測量,判斷礦化大理巖捕虜體位置;
步驟四、在礦化大理巖捕虜體位置鉆探驗證礦藏。
2.如權(quán)利要求1所述一種尋找覆蓋區(qū)矽卡巖型鐵銅金礦的方法,其特征在于:所述步驟三中判斷礦化大理巖捕虜體位置的具體方法如下:①繪制找礦靶區(qū)CSAMT電阻率斷面圖;②在CSAMT電阻率斷面圖中篩選高阻蘑菇狀異常區(qū)域或高阻孤島狀異常區(qū)域;③在高阻蘑菇狀異常區(qū)域或高阻孤島狀異常區(qū)域周圍出現(xiàn)伴生低阻異常區(qū)域,判斷該低阻異常區(qū)域為礦化大理巖捕虜體所在區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述一種尋找覆蓋區(qū)矽卡巖型鐵銅金礦的方法,其特征在于:所述低阻異常區(qū)域緊靠高阻蘑菇狀異常區(qū)域或高阻孤島狀異常區(qū)域,所述低阻異常區(qū)域的電阻率比圍巖的電阻率小1000歐姆·米以上。
4.如權(quán)利要求2所述一種尋找覆蓋區(qū)矽卡巖型鐵銅金礦的方法,其特征在于:所述高阻蘑菇狀異常區(qū)域的蘑菇傘蓋直徑為500-1500米,傘蓋頂部到蘑菇根部深度為500-1000米,蘑菇頂部埋深100-300米,蘑菇根部部位電阻率與圍巖電阻率差值為500-1000歐姆·米,其核部電阻率高,電阻率值與圍巖電阻率值相當(dāng)。
5.如權(quán)利要求2所述一種尋找覆蓋區(qū)矽卡巖型鐵銅金礦的方法,其特征在于:所述高阻孤島狀異常呈橢圓形,其長軸長度為200-500米,短軸長度約為100-400米,其核部電阻率為1000-3000歐姆·米。
6.如權(quán)利要求1所述一種尋找覆蓋區(qū)矽卡巖型鐵銅金礦的方法,其特征在于,勘查區(qū)成礦建造構(gòu)造圖按照以下方法編制:收集勘查區(qū)以往地質(zhì)礦產(chǎn)和物探資料,編制基巖地質(zhì)礦產(chǎn)草圖;在勘查區(qū)開展1/5萬高精度重力測量和1/2.5萬高精度磁法測量,進行隱伏巖體和地層構(gòu)造推斷解釋;結(jié)合區(qū)域地質(zhì)構(gòu)造特征,編制基巖地質(zhì)礦產(chǎn)圖;根據(jù)基巖地質(zhì)礦產(chǎn)圖結(jié)合區(qū)域成礦規(guī)律,分析成礦地質(zhì)條件,編制成礦建造構(gòu)造圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于安徽省勘查技術(shù)院,未經(jīng)安徽省勘查技術(shù)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611110474.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





