[發明專利]氨法生產金屬化合物的分解沉淀槽

有效

• 申請號: 201611109679.3
• 申請日: 2016-12-06
• 公開（公告）號: CN106430280B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 杜宗鑫
• 申請（專利權）人: 杜宗鑫
• 主分類號: C01G3/02
• 分類號: C01G3/02;C01G3/00;C01G9/00;C01G53/06
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司11228
• 代理人: 張秋越

技術領域

本發明屬于化工設備領域，具體涉及一種氨法生產金屬化合物的分解沉淀槽。

背景技術

目前，金屬化合物包括碳酸鎳、碳酸鋅、（活性）氧化銅、碳酸銅的生產工藝流程長、耗能大，裝置設備結構復雜，并且工藝中存在各種各樣的缺點。

例如：活性氧化銅具有純度高、粒徑小、比表面積大、在電鍍行業規定的酸中溶解速度快等特點，在電子、催化等領域有許多特異性能和極大的潛在應用價值。通常生產高純活性氧化銅粉主要采用碳酸鹽煅燒法，由于碳酸鹽煅燒法工藝流程長，后續洗滌困難，產品純度不高、分散性不好、同時煅燒后晶粒粗化造成的產品活性不高、成本相對較高、有高鹽廢水產生。

而，關于活性氧化銅的生產工藝，在目前公開的一些發明專利中，主要有以下幾種常用的工藝：

(1) 申請號為01127175.2 的中國專利公開的以硫酸銅及銅料為原料，經80-85℃的低溫氧化得硫酸銅結晶，然后配制溶液與氫氧化鈉反應，在經球磨、壓濾、洗滌、烘干、粉碎制的活性氧化銅的工藝。

(2) 申請號為200710076208.1 的中國專利公開的以堿性蝕刻廢液經蒸氨生產氧化銅的工藝。

以上方法均存在工藝、裝置復雜和耗能高的缺點，并且會產生大量洗滌廢水，給后續處理帶來麻煩。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提出一種環保的氨法生產金屬化合物的工藝，并且具體提供了一種用于氨法生產金屬化合物的分解沉淀槽。

本發明提供的氨法生產金屬化合物的分解沉淀槽，包括：

沉淀槽殼體，其包括自上而下相互連接的頂區、上連接區、消泡區、下連接區、速熱區和底區；所述頂區設有混合氣出口；所述上連接區設有空氣入口和加料口；所述底區設有放料口；

設有一開口的孔板，設于沉淀槽殼體內對應位于所述速熱區的底部以下，孔板的邊緣貼合固定在沉淀槽殼體的內壁；

空氣攪拌管，其設于沉淀槽殼體內部，一端連接所述空氣入口，另一端穿過所述孔板的開口伸入所述孔板下方的底區內；

加熱盤管組，固定于孔板上；

其中，消泡區的內徑大于速熱區的內徑。

優選地，所述沉淀槽殼體的速熱區設有熱介質入口和熱介質出口，所述熱介質入口連接所述加熱盤管組的入口，所述熱介質出口連接所述加熱盤管組的出口。

優選地，所述加熱盤管組包括多個串聯的加熱盤管。

優選地，所述消泡區的內徑為速熱區的內徑的1.1倍以上。

優選地，所述消泡區的內徑為速熱區的內徑的1.1倍~5倍。

優選地，上述的氨法生產金屬化合物的分解沉淀槽，還包括：第一保溫套管，其套設在所述沉淀槽殼體的設有加熱套管組的位置的外側，所述第一保溫套管的熱介質入口連接設于所述速熱區的熱介質出口。

優選地，上述的氨法生產金屬化合物的分解沉淀槽，還包括：第二保溫套管，其套設在所述底區外側，所述第二保溫套管的熱介質入口連接設于所述第一保溫套管的熱介質出口。

優選地，所述頂區還設有觀察孔。

優選地，所述消泡區的內徑大于頂區的內徑。

具體地，所述頂區、消泡區、速熱區為圓筒形，所述上連接區和下連接區為圓臺筒形，所述底區為圓錐筒形；所述上連接區的小直徑頂面連接頂區的底面，所述上連接區的小直徑頂面與所述頂區的橫截面相同；所述上連接區的大直徑底面連接消泡區的頂面，所述上連接區的大直徑底面與所述消泡區的橫截面相同；所述下連接區的大直徑頂面連接所述消泡區底面，所述下連接區的大直徑頂面與所述消泡區的橫截面相同；所述下連接區的小直徑底面連接所述速熱區的頂面，所述下連接區的小直徑底面與所述速熱區的橫截面相同；所述底區的頂面連接所述速熱區的底面，所述底區的頂面與所述速熱區的橫截面相同。

本發明能夠達到如下技術效果：

本發明的分解沉淀槽的空氣攪拌功能使產生的金屬化合物不沉淀，同時鼓入的空氣在上升時帶走大量的氨氣，降低液內氨氣揮發的阻力，降低氨氣被溶液二次吸收生成氨水的可能性。同時，第一保溫套管和第二保溫套管保證了熱量的充分利用。

附圖說明

圖1是本發明的氨法生產金屬化合物的分解沉淀槽的剖面結構示意圖。

圖2是本發明的氨法生產金屬化合物的工藝流程示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步說明，以使本領域的技術人員可以更好的理解本發明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發明的限定。