[發(fā)明專利]氨法生產(chǎn)金屬化合物的分解沉淀槽

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611109679.3
• 申請日: 2016-12-06
• 公開（公告）號: CN106430280B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杜宗鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 杜宗鑫
• 主分類號: C01G3/02
• 分類號: C01G3/02;C01G3/00;C01G9/00;C01G53/06
• 代理公司: 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11228
• 代理人: 張秋越

1.一種氨法生產(chǎn)金屬化合物的分解沉淀槽，其特征在于，包括：

沉淀槽殼體，其包括自上而下相互連接的頂區(qū)、上連接區(qū)、消泡區(qū)、下連接區(qū)、速熱區(qū)和底區(qū)；所述頂區(qū)設(shè)有混合氣出口；所述上連接區(qū)設(shè)有空氣入口和加料口；所述底區(qū)設(shè)有放料口；

設(shè)有一開口的孔板，設(shè)于沉淀槽殼體內(nèi)對應(yīng)位于所述速熱區(qū)的底部以下，孔板的邊緣貼合固定在沉淀槽殼體的內(nèi)壁；

空氣攪拌管，其設(shè)于沉淀槽殼體內(nèi)部，一端連接所述空氣入口，另一端穿過所述孔板的開口伸入所述孔板下方的底區(qū)內(nèi)；

加熱盤管組，固定于孔板上；

其中，消泡區(qū)的內(nèi)徑大于速熱區(qū)的內(nèi)徑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氨法生產(chǎn)金屬化合物的分解沉淀槽，其特征在于，所述沉淀槽殼體的速熱區(qū)設(shè)有熱介質(zhì)入口和熱介質(zhì)出口，所述熱介質(zhì)入口連接所述加熱盤管組的入口，所述熱介質(zhì)出口連接所述加熱盤管組的出口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氨法生產(chǎn)金屬化合物的分解沉淀槽，其特征在于，所述加熱盤管組包括多個串聯(lián)的加熱盤管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氨法生產(chǎn)金屬化合物的分解沉淀槽，其特征在于，所述消泡區(qū)的內(nèi)徑為速熱區(qū)的內(nèi)徑的1.1倍以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氨法生產(chǎn)金屬化合物的分解沉淀槽，其特征在于，所述消泡區(qū)的內(nèi)徑為速熱區(qū)的內(nèi)徑的1.1倍~5倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氨法生產(chǎn)金屬化合物的分解沉淀槽，其特征在于，還包括：第一保溫套管，其套設(shè)在所述沉淀槽殼體的設(shè)有加熱套管組的位置的外側(cè)，所述第一保溫套管的熱介質(zhì)入口連接設(shè)于所述速熱區(qū)的熱介質(zhì)出口。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氨法生產(chǎn)金屬化合物的分解沉淀槽，其特征在于，還包括：第二保溫套管，其套設(shè)在所述底區(qū)外側(cè)，所述第二保溫套管的熱介質(zhì)入口連接設(shè)于所述第一保溫套管的熱介質(zhì)出口。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氨法生產(chǎn)金屬化合物的分解沉淀槽，其特征在于，所述頂區(qū)還設(shè)有觀察孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氨法生產(chǎn)金屬化合物的分解沉淀槽，其特征在于，所述消泡區(qū)的內(nèi)徑大于頂區(qū)的內(nèi)徑。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或9所述的氨法生產(chǎn)金屬化合物的分解沉淀槽，其特征在于，所述頂區(qū)、消泡區(qū)、速熱區(qū)為圓筒形，所述上連接區(qū)和下連接區(qū)為圓臺筒形，所述底區(qū)為圓錐筒形；所述上連接區(qū)的小直徑頂面連接頂區(qū)的底面，所述上連接區(qū)的小直徑頂面與所述頂區(qū)的橫截面相同；所述上連接區(qū)的大直徑底面連接消泡區(qū)的頂面，所述上連接區(qū)的大直徑底面與所述消泡區(qū)的橫截面相同；所述下連接區(qū)的大直徑頂面連接所述消泡區(qū)底面，所述下連接區(qū)的大直徑頂面與所述消泡區(qū)的橫截面相同；所述下連接區(qū)的小直徑底面連接所述速熱區(qū)的頂面，所述下連接區(qū)的小直徑底面與所述速熱區(qū)的橫截面相同；所述底區(qū)的頂面連接所述速熱區(qū)的底面，所述底區(qū)的頂面與所述速熱區(qū)的橫截面相同。