[發(fā)明專利]雙側集成扇出封裝件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611107415.4
• 申請日: 2016-12-06
• 公開（公告）號: CN107039287B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發(fā)明（設計）人: 潘國龍;張緯森;郭庭豪;蔡豪益;劉重希
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種用于形成貫通孔的方法包括在封裝件上方形成介電層和在介電層上方形成RDL的步驟，其中，形成RDL包括形成晶種層，在晶種層上方形成第一圖案化掩模，以及執(zhí)行第一金屬鍍敷的步驟。該方法還包括在RDL的第一部分的頂部上形成貫通孔，其中，形成貫通孔包括在晶種層和RDL上方形成第二圖案化掩模，以及執(zhí)行第二金屬鍍敷。該方法還包括附接芯片至RDL的第二部分，以及將芯片和貫通孔包封在包封材料中。本發(fā)明實施例涉及雙側集成扇出封裝件及其形成方法。

技術領域

本發(fā)明實施例涉及雙側集成扇出封裝件及其形成方法。

背景技術

隨著半導體技術的發(fā)展，半導體芯片/管芯變得越來越小。同時，更多功能需要集成至半導體管芯內(nèi)。因此，半導體管芯需要將越來越多的I/O焊盤封裝至更小的區(qū)域內(nèi)，并且因此I/O焊盤的密度隨時間迅速提升。結果，半導體管芯的封裝變得更加困難，這會對封裝產(chǎn)量產(chǎn)生不利影響。

傳統(tǒng)的封裝技術可以劃分為兩類。在第一類中，晶圓上的管芯在它們被切割之前封裝。這種封裝技術具有一些有利的特征，諸如更大的生產(chǎn)量和更低的成本。此外，需要較少的底部填充物或模塑料。然而，這種封裝技術還具有一些缺陷。管芯的尺寸變得越來越小，并且對應的封裝件通常僅可以為多輸入型封裝件，其中每個管芯的I/O焊盤限于直接位于對應管芯的表面上方的區(qū)域。由于管芯的面積有限，I/O焊盤的數(shù)量由于I/O焊盤的間距的限制而受到限制。如果焊盤的間距減小，則可能發(fā)生焊料橋接。此外，在固定的焊球尺寸需求下，焊球必須具有特定尺寸，這進而限制可以封裝在管芯表面上的焊球的數(shù)量。

在另一類封裝中，在封裝管芯之前從晶圓切割管芯。該封裝技術的有利特征是形成扇出型封裝件的可能性，這意味著管芯上的I/O焊盤可以分布至比管芯更大的區(qū)域，并且因此可以增大封裝在管芯的表面上的I/O焊盤的數(shù)量。該封裝技術的另一有利特征是封裝“已知良好管芯”，以及丟棄缺陷管芯，并且因此成本和精力不會浪費在缺陷管芯上。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種用于形成封裝件的方法，包括：在封裝件上方形成介電層，所述介電層具有形成在所述介電層中的開口；在所述介電層上形成再分布層(RDL)并且所述再分布層延伸至所述開口內(nèi)，其中，形成所述再分布層包括：形成晶種層，在所述晶種層上方形成第一圖案化掩模，以及執(zhí)行第一金屬鍍敷；剝離所述第一圖案化掩模但留下所述晶種層；在剝離所述第一圖案化掩模之后，在所述再分布層的第一部分的頂部上形成貫通孔，其中，形成所述貫通孔包括：在所述晶種層和所述再分布層上方形成第二圖案化掩模，以及執(zhí)行第二金屬鍍敷；剝離所述第二圖案化掩模以及執(zhí)行蝕刻以去除所述晶種層的部分；將芯片附接至所述再分布層的第二部分；以及將所述芯片和所述貫通孔包封在包封材料中。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，還提供了一種用于形成封裝件的方法，包括：在封裝件上方形成介電層，所述介電層具有形成在所述介電層中的開口；在所述介電層上形成再分布層(RDL)，所述再分布層延伸至所述開口內(nèi)，其中，形成所述再分布層包括：形成晶種層，在所述晶種層上方形成第一圖案化掩模，以及執(zhí)行第一金屬鍍敷；在所述再分布層的第一部分的頂部上形成貫通孔，其中，形成所述貫通孔包括：形成第二圖案化掩模，以及執(zhí)行第二金屬鍍敷；在形成所述貫通孔之后，剝離所述第一圖案化掩模和所述第二圖案化掩模，以及執(zhí)行蝕刻以去除所述晶種層的部分；將芯片附接至所述再分布層的第二部分；以及包封所述芯片和所述貫通孔。

根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，還提供了一種封裝件，包括：第一器件管芯；第一包封材料，將所述第一器件管芯包封在所述第一包封材料中；介電層，設置在所述第一器件管芯上方，所述介電層具有形成在所述介電層中的開口；再分布層(RDL)，延伸至所述開口內(nèi)并且形成在所述介電層上方；貫通孔，設置在所述介電層上方并且與所述再分布層直接接觸；第二器件管芯，連接至所述再分布層的部分；以及第二包封材料，將所述第二器件管芯和所述貫通孔包封在所述第二包封材料中。

附圖說明