[發明專利]一種真空熱處理工藝在審
| 申請號： | 201611105776.5 | 申請日： | 2016-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN108148964A | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發明（設計）人： | 曲立輝 | 申請（專利權）人： | 青島小米星電子科技有限公司 |
| 主分類號： | C21D1/773 | 分類號： | C21D1/773 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 266000 山東省青島市城*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 真空熱處理工藝 預熱階段 加熱速度控制 熱處理變形 奧氏體化 畸變影響 加熱工藝 生產效率 預熱過程 成品率 預熱 兩段 加熱 節約 試驗 能源 保證 | ||
【權利要求書】：
1.一種真空熱處理工藝，其中加熱工藝包括兩段預熱階段和最后奧氏體化的階段，其特征在于：第一個預熱階段的加熱速度控制在10-20℃/min。
2.根據權利要求1所述的真空熱處理工藝，其特征在于：所述的第一個預熱階段的加熱速度控制在13℃/min。
3.根據權利要求1或2所述的真空熱處理工藝，其特征在于：所述的第一個預熱階段的加熱溫度為500-650℃。
4.根據權利要求3所述的真空熱處理工藝，其特征在于：所述的第一個預熱階段的加熱溫度為600℃。
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