[發明專利]非揮發性存儲器

有效

• 申請號: 201611102968.0
• 申請日: 2016-12-05
• 公開（公告）號: CN107978602B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 徐德訓
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種非揮發性存儲器，其特征在于，包括：

基底；以及

浮置柵極晶體管、選擇晶體管與應力釋放晶體管，設置于所述基底上且彼此串接，其中所述應力釋放晶體管位于所述浮置柵極晶體管與所述選擇晶體管之間，且

所述應力釋放晶體管具有由式(1)所示的應力釋放比：

所述應力釋放比＝所述應力釋放晶體管的通道長度/所述應力釋放晶體管的柵介電層厚度 (1)

其中，所述應力釋放比的下限值由進行編程操作時，非選定的所述非揮發性存儲器的所述應力釋放晶體管的可承受漏極側電壓所決定，且

所述應力釋放比的上限值由進行讀取操作時，選定的所述非揮發性存儲器的可讀取漏極電流的最小值所決定。

2.根據權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述浮置柵極晶體管、所述選擇晶體管與所述應力釋放晶體管通過共用摻雜區而進行串接。

3.根據權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述應力釋放比為15至35。

4.根據權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，

所述浮置柵極晶體管包括：

浮置柵極，設置于所述基底上；

第一摻雜區與第二摻雜區，分別設置于所述浮置柵極兩側的所述基底中；以及

第一介電層，設置于所述浮置柵極與所述基底之間；所述選擇晶體管，包括：

選擇柵極，設置于所述基底上；

第三摻雜區與第四摻雜區，分別設置于所述選擇柵極兩側的所述基底中；以及

第二介電層，設置于所述選擇柵極與所述基底之間；

所述應力釋放晶體管包括：

應力釋放柵極，設置于所述基底上；

所述第二摻雜區與所述第三摻雜區，其中所述第二摻雜區位于所述浮置柵極與所述應力釋放柵極之間，且所述第三摻雜區位于所述選擇柵極與所述應力釋放柵極之間；以及

第三介電層，設置于所述應力釋放柵極與所述基底之間。

5.根據權利要求4所述的非揮發性存儲器，其特征在于，還包括：

第一接觸窗，連接至所述選擇柵極，以提供第一電壓至所述選擇柵極；以及

第二接觸窗，連接至所述應力釋放柵極，以提供第二電壓至所述應力釋放柵極。

6.根據權利要求5所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述第一電壓與所述第二電壓為相同或不同。

7.根據權利要求4所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述應力釋放柵極下方的所述通道長度小于輸入輸出元件的設計規則的最小通道長度。

8.根據權利要求4所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述第一介電層的厚度大于所述第二介電層的厚度。

9.根據權利要求4所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述第三介電層的厚度大于所述第二介電層的厚度。

10.根據權利要求4所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述第二摻雜區與所述第三摻雜區為浮置摻雜區。

11.根據權利要求4所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述第一摻雜區至第四摻雜區為相同的導電型。

12.根據權利要求4所述的非揮發性存儲器，其特征在于，還包括至少一第一阱區，設置于所述基底中，其中所述第一摻雜區至第四摻雜區位于所述至少一第一阱區中。

13.根據權利要求12所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述第一摻雜區至第四摻雜區的導電型不同于所述至少一第一阱區的導電型。

14.根據權利要求12所述的非揮發性存儲器，其特征在于，還包括第一電容器與第二電容器，其中所述第一電容器、所述第二電容器與所述浮置柵極晶體管分離設置且彼此耦接。