[發(fā)明專利]一種超導(dǎo)薄膜的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611101237.4 | 申請日: | 2016-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN108149202A | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 房毅 | 申請(專利權(quán))人: | 山東元盛坤超導(dǎo)材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 264200 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體羽 超導(dǎo)薄膜 狀物 大功率激光束 靶材表面 基底表面 激光器 受熱 熔蝕 制備 薄膜 聚焦 制造 | ||
本發(fā)明的公開一種超導(dǎo)薄膜的制造方法,使用激光器產(chǎn)生的大功率激光束聚焦并作用于靶材表面,使其表面熔蝕,并形成等離子體羽狀物,這些等離子體羽狀物向受熱基底表面轉(zhuǎn)移,最后形成薄膜。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種超導(dǎo)薄膜的制備方法,具體為YBCO超導(dǎo)薄膜的制備方法。
背景技術(shù)
20世紀(jì)80年代,臨界轉(zhuǎn)變溫度在液氮沸點(diǎn)溫度之上的高溫超導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)掀起了一股新的研究熱潮。現(xiàn)代電子器件,尤其是集成的電子器件基本以薄膜為基礎(chǔ),高溫超導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)使人們看到了其應(yīng)用于電子器件的可能性,此后對高溫超導(dǎo)薄膜的制備給予了極大的重視。經(jīng)過多年的探索,高溫超導(dǎo)薄膜取得了重大進(jìn)展。在所有高溫超導(dǎo)體中,釔鋇銅氧(YBCO)薄膜受到了更多的重視,得到了快速的發(fā)展。與鉍系、鉈基和汞基高溫超導(dǎo)材料相比,YBCO在制備及材料性能方面的優(yōu)勢更為明顯。高溫超導(dǎo)薄膜的廣泛應(yīng)用將使超導(dǎo)電子學(xué)發(fā)生根本性變革,超導(dǎo)材料的特殊性能,有可能大大簡化超導(dǎo)電子器件的結(jié)構(gòu),拓寬其應(yīng)用范圍。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所以解決的技術(shù)問題是,提供一種高性能、低成本、未來能夠規(guī)模化生產(chǎn)的超導(dǎo)薄膜。
使用激光器產(chǎn)生的大功率激光束聚焦并作用于靶材表面,使其表面熔蝕,并形成等離子體羽狀物,這些等離子體羽狀物向受熱基底表面轉(zhuǎn)移,最后形成薄膜。成膜過程可分為3個(gè)階段:①激光束與靶材相互作用;②等離子體的在氣體氣氛中的傳輸;③等離子體在基底表面沉積、成膜。以富含鋇(Ba)和銅(Cu)的非化學(xué)計(jì)量比的Y-Ba-Cu-O為靶材,采用PLD法沉積了YBCO薄膜。富含的Ba和Cu可以改善薄膜中Ba元素和Cu元素的缺失,顯著減少了薄膜的孔密度,改善了微觀結(jié)構(gòu),所得薄膜的臨界電流密度(Jc)值超過2MA/cm2(77.3K,0T)。同時(shí),通過該法制備的薄膜需進(jìn)行進(jìn)一步的氧氣氛退火工藝,才能使薄膜得到充分氧化。
有益效果:
該方法的具有:工藝重復(fù)性好、化學(xué)計(jì)量比精確、具有良好的保成分性;襯底溫度要求不高、薄膜均勻性好;激光束能量與功率等易調(diào)節(jié)、靶材選擇范圍廣的特點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
使用Brillant B系列:即插即用型3倍頻(355nm),4倍頻(266nm)結(jié)構(gòu)激光器,在密封真空或無氧環(huán)境中,產(chǎn)生的大功率激光束聚焦并作用于靶材表面,使其表面熔蝕,并形成等離子體羽狀物,引導(dǎo)等離子體羽狀物向受熱基底表面轉(zhuǎn)移,最后形成薄膜。成膜過程可分為3個(gè)階段:①激光束與靶材相互作用;②等離子體的在氣體氣氛中的傳輸;③等離子體在基底表面沉積、成膜。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,做出若干改進(jìn)和變換,這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
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