[發明專利]高介電常數低介電損耗聚偏二氟乙烯復合材料的制備方法

有效

• 申請號: 201611100958.3
• 申請日: 2016-12-05
• 公開（公告）號: CN106751243B
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發明（設計）人: 王勇;黃婷;徐憲玲;楊靜暉;張楠
• 申請（專利權）人: 西南交通大學
• 主分類號: C08L27/16
• 分類號: C08L27/16;C08K9/00;C08K3/04;C08K3/36
• 代理公司: 成都博通專利事務所 51208
• 代理人: 陳樹明

1.高介電常數低介電損耗聚偏二氟乙烯復合材料的制備方法，其步驟是：

A、氧化石墨烯的N,N-二甲基甲酰胺溶液制備：

將質量百分比為1％的氧化石墨烯的水溶液與N,N-二甲基甲酰胺混合，N,N-二甲基甲酰胺與氧化石墨烯水溶液的體積比為1:2；然后進行減壓旋轉蒸餾，得到氧化石墨烯的N,N-二甲基甲酰胺溶液，再對其進行超聲處理0.5-2h；

B、氧化石墨烯/二氧化硅納米雜化材料的制備：

取納米二氧化硅加入到A步的氧化石墨烯的N,N-二甲基甲酰胺溶液，得混合溶液；其中，氧化石墨烯與納米二氧化硅的質量比為100:2—20；然后將混合溶液攪拌0.5—1h，隨后超聲處理0.5—1h，再次攪拌0.5—1h，再次超聲處理0.5—1h，得到氧化石墨烯/二氧化硅納米雜化材料懸浮液；

C、聚偏二氟乙烯復合材料的制備：

將聚偏二氟乙烯加入到N,N-二甲基甲酰胺中，在攪拌的條件下，升溫到45—55℃，持續攪拌2—3h，得到聚偏二氟乙烯的N,N-二甲基甲酰胺溶液；然后將氧化石墨烯/二氧化硅納米雜化材料懸浮液，在攪拌的條件下緩慢加入到聚偏二氟乙烯的N,N-二甲基甲酰胺溶液中，繼續攪拌1—2h，然后超聲處理1h，得到混合液；混合液中聚偏二氟乙烯、氧化石墨烯和納米二氧化硅的質量比為100：5：0.1—1；

將混合液加熱到85—95℃得到粘稠液，再將粘稠液在60—90℃的烘箱中烘干得到烘干物；最后將烘干物用微型雙螺桿擠出機進行熔融共混，共混溫度為190—210℃，共混時間為10min，即得。

2.根據權利要求1所述的一種高介電常數低介電損耗聚偏二氟乙烯復合材料的制備方法，其特征在于：所述的減壓旋轉蒸餾的溫度為60—80℃，時間為2-3h，真空度為0.1MPa。

3.根據權利要求1所述的一種高介電常數低介電損耗聚偏二氟乙烯復合材料的制備方法，其特征在于：所述的納米二氧化硅的粒徑為15±5nm，比表面積為250±30m²/g。

4.根據權利要求1所述的一種高介電常數低介電損耗聚偏二氟乙烯復合材料的制備方法，其特征在于：所述A步、B步和C步的超聲處理的強度均為2.5-5×10⁴W/m²。