[發明專利]積體電感及其制造方法有效
| 申請號: | 201611097219.3 | 申請日: | 2016-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN108155177B | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發明(設計)人: | 顏孝璁;簡育生;葉達勛 | 申請(專利權)人: | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/64 | 分類號: | H01L23/64 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電感 及其 制造 方法 | ||
一種積體電感,其包含基板、絕緣層及電感?;灏瑴喜邸V辽僖徊糠值慕^緣層形成于溝槽內。電感配置于溝槽內,并位于絕緣層上。
技術領域
本案是有關于一種基本電子電路及其制造方法,且特別是有關于一種積體電感及其制造方法。
背景技術
一般電感于晶片中占用較多面積,且電磁輻射(EMI radiation)狀況較為嚴重。因此,八字型電感應運而生,其具備較低的電磁輻射,且基于其結構特性而能相互抵銷耦合現象,而具備較低的互耦值。
然而,隨著現有電子裝置逐漸朝向微型化發展,八字型電感于晶片中依然占據了一定的體積,而不利于電子裝置的微型化。此外,相較于一般電感,八字型電感的品質因素(quality factor)較低。
由此可見,上述現有的方式,顯然仍存在不便與缺陷,而有待改進。為了解決上述問題,相關領域莫不費盡心思來謀求解決之道,但長久以來仍未發展出適當的解決方案。
發明內容
發明內容旨在提供本揭示內容的簡化摘要,以使閱讀者對本揭示內容具備基本的理解。此發明內容并非本揭示內容的完整概述,且其用意并非在指出本案實施例的重要/關鍵元件或界定本案的范圍。
本案內容的一目的是在提供一種積體電感,藉以改善先前技術的問題。
為達上述目的,本案內容的一技術態樣是關于一種積體電感,其包含基板、絕緣層及電感?;灏瑴喜邸V辽僖徊糠值慕^緣層形成于溝槽內。電感配置于溝槽內,并位于絕緣層上
為達上述目的,本案內容的另一技術態樣是關于一種積體電感的制造方法,此積體電感的制造方法包含以下步驟:于基板中形成溝槽;形成至少一部分的絕緣層于溝槽內;以及配置電感于溝槽內,并位于絕緣層上。
因此,根據本案的技術內容,本案實施例藉由提供一種積體電感及其制造方法,以改善八字型電感于晶片中占據了一定的體積,而不利于電子裝置的微型化的問題,并改善八字型電感的品質因素(quality factor)較低的問題。本案因配置電感于基板的溝槽內,基板有其阻隔EMI輻射的功效,進而除了改善原先八字型電感的品質因素(qualityfactor),亦可保留其阻隔EMI的功能。另亦可在基板的構槽的金屬上方的金屬層(inter-metal)放置圖案式接地防護層(PGS),以加強隔絕耦合,于PGS上方另可放置其余走線。
在參閱下文實施方式后,本案所屬技術領域中具有通常知識者當可輕易了解本案的基本精神及其他發明目的,以及本案所采用的技術手段與實施態樣。
附圖說明
為讓本案的上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂,所附圖式的說明如下:
圖1是依照本案一實施例繪示一種積體電感的示意圖。
圖2是依照本案一實施例繪示一種如圖1所示的積體電感的剖面示意圖。
圖3是依照本案另一實施例繪示一種積體電感的示意圖。
圖4是依照本案另一實施例繪示一種如圖3所示的積體電感的剖面示意圖。
圖5是依照本案再一實施例繪示一種積體電感的俯視示意圖。
圖6是依照本案又一實施例繪示一種積體電感的俯視示意圖。
圖7是依照本案另一實施例繪示一種積體電感的俯視示意圖。
根據慣常的作業方式,圖中各種特征與元件并未依比例繪制,其繪制方式是為了以最佳的方式呈現與本案相關的具體特征與元件。此外,在不同圖式間,以相同或相似的元件符號來指稱相似的元件/部件。
符號說明
100:積體電感
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