[發明專利]積體電感及其制造方法有效
| 申請號: | 201611097219.3 | 申請日: | 2016-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN108155177B | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發明(設計)人: | 顏孝璁;簡育生;葉達勛 | 申請(專利權)人: | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/64 | 分類號: | H01L23/64 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電感 及其 制造 方法 | ||
1.一種積體電感,包含:
一基板,包含:
一溝槽;
一絕緣層,形成于該溝槽內;以及
一電感,配置于該溝槽內,并位于該絕緣層上;
所述基板、絕緣層和電感的頂面齊平,
所述的積體電感,更包含:
一圖案化防護層,配置于該基板及該電感上方,
一金屬層,配置于該圖案化防護層與該電感之間;以及
復數個連接部,耦接于該金屬層與該電感;
一電介質層,配置于該圖案化防護層與該電感之間,并覆蓋于該金屬層的至少頂面與側壁上以及覆蓋于該些連接部上,整個所述金屬層堆疊在所述電感的與所述基板齊平的頂面上方。
2.根據權利要求1所述的積體電感,其中該溝槽包含一第一環形溝槽,該電感包含一第一環形電感,其中該第一環形電感配置于該第一環形溝槽內。
3.根據權利要求2所述的積體電感,其中該第一環形溝槽包含一第一開口,該第一環形電感包含一第二開口,其中該第二開口與該第一開口相應配置。
4.根據權利要求3所述的積體電感,其中該第一環形溝槽包含一溝槽分支,該第一環形電感包含一電感分支,其中該電感分支配置于該溝槽分支內。
5.根據權利要求3所述的積體電感,更包含:
一第二環形溝槽,配置于該第一環形溝槽外圍;以及
一第二環形電感,配置于該第二環形溝槽內。
6.根據權利要求5所述的積體電感,其中該第二環形溝槽包含一第三開口,該第二環形電感包含一第四開口,其中該第四開口與該第三開口相應配置。
7.根據權利要求6所述的積體電感,其中該第一環形電感的該第二開口位于一積體電感的一側,該第二環形電感的該第四開口位于該積體電感的另一側。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于瑞昱半導體股份有限公司,未經瑞昱半導體股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611097219.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:防光干擾的半導體芯片的制作方法
- 下一篇:集成扇出型封裝





