[發明專利]微納米結構的制備方法有效
| 申請號： | 201611093544.2 | 申請日： | 2016-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN108132585B | 公開（公告）日： | 2020-02-07 |
| 發明（設計）人： | 陳墨;李群慶;張立輝;金元浩;安東;范守善 | 申請（專利權）人： | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻膠層 掩模板 光刻 微納米結構 第二基板 第一基板 復合層 制備 紫外光照射 顯影處理 紫外光 曝光 光刻膠 圖案化 入射 上移 穿過 覆蓋 | ||
1.一種微納米結構的制備方法，其包括以下步驟：
提供一第一基板，所述第一基板的表面上設置有一光刻膠層；
將一光刻掩模板覆蓋至所述光刻膠層的表面，所述光刻掩模板包括一第二基板和設置于該第二基板的表面上的一復合層，所述復合層包括一碳納米管層和一遮蓋層，所述遮蓋層直接附著于所述碳納米管層的表面；
采用紫外光照射所述光刻掩模板，并使得該紫外光穿過所述第二基板及復合層入射至該光刻膠層上，對該光刻膠層進行曝光；
對曝光后的光刻膠層進行顯影處理。
2.如權利要求1所述的微納米結構的制備方法，其特征在于，所述光刻掩模板覆蓋至所述光刻膠層的表面時，所述復合層與所述光刻膠層遠離第一基板的表面接觸設置。
3.如權利要求1所述的微納米結構的制備方法，其特征在于，所述光刻掩模板覆蓋至所述光刻膠層的表面時，所述第二基板與所述光刻膠層遠離第一基板的表面接觸設置。
4.如權利要求1所述的微納米結構的制備方法，其特征在于，所述第二基板對于紫外光的透過率大于60％。
5.如權利要求1所述的微納米結構的制備方法，其特征在于，所述光刻掩模板包括至少兩個第二基板和分別設置于第二基板的表面上的復合層。
6.如權利要求1所述的微納米結構的制備方法，其特征在于，所述碳納米管層直接設置于所述第二基板的表面上，所述遮蓋層覆蓋于所述碳納米管層遠離所述第二基板的表面上。
7.如權利要求6所述的微納米結構的制備方法，其特征在于，所述碳納米管層為多個碳納米管通過范德華力結合形成的自支撐結構。
8.如權利要求6所述的微納米結構的制備方法，其特征在于，所述碳納米管層包括至少一碳納米管膜，該碳納米管膜中的碳納米管平行于所述碳納米管膜的表面且沿同一方向延伸，在延伸方向上相鄰的碳納米管通過范德華力首尾相連，所述碳納米管膜中至少部分碳納米管平行且間隔設置。
9.一種微納米結構的制備方法，其包括以下步驟：
提供一第一基板，所述第一基板的表面上設置有一光刻膠層；
將一光刻掩模板覆蓋至所述光刻膠層的表面，所述光刻掩模板包括一第二基板和設置于該第二基板表面的一碳納米管層，所述碳納米管層包括至少一碳納米管膜，該碳納米管膜中包括多個碳納米管，該多個碳納米管平行于所述碳納米管膜的表面，所述碳納米管膜中至少部分碳納米管平行且間隔設置；
采用紫外光照射所述光刻掩模板，并使得該紫外光穿過所述光刻掩模板入射至該光刻膠層上，對該光刻膠層進行曝光；
對曝光后的光刻膠層進行顯影處理。
10.如權利要求9所述的微納米結構的制備方法，其特征在于，所述光刻掩模板進一步包括一第三基板，該第三基板設置于所述碳納米管層遠離第二基板的表面，使得該碳納米管層夾在該第二基板與第三基板之間。
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