[發(fā)明專利]一種利用室溫轉(zhuǎn)移壓印技術(shù)制備無殘留層的二氧化鈦圖案的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611093131.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106773529B | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 石剛;車友新;李贏;王大偉;倪才華;王利魁;桑欣欣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G03F7/00 | 分類號(hào): | G03F7/00 |
| 代理公司: | 32257 蘇州市中南偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 殷海霞 |
| 地址: | 214122 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 室溫 轉(zhuǎn)移 壓印 技術(shù) 制備 殘留 氧化 圖案 方法 | ||
1.一種利用室溫轉(zhuǎn)移壓印技術(shù)制備無殘留層的二氧化鈦圖案的方法,其特征是,包括以下步驟:
(1)首先通過超聲和加熱,將熱塑性聚合物溶液與二氧化鈦溶膠或鈦鹽溶液進(jìn)行混合配制成前驅(qū)液;
(2)然后將步驟(1)得到的前驅(qū)液旋涂或噴涂在表面具有凸凹結(jié)構(gòu)的軟模板表面,形成復(fù)合膜;
(3)然后在室溫下將步驟(2)得到的表面附有復(fù)合膜的軟模板與親水基底接觸,經(jīng)過5~600s后,將軟模板從基底表面分離開,軟模板表面的復(fù)合膜轉(zhuǎn)移到基底表面;
(4)然后將步驟(3)得到表面附有復(fù)合膜的基底進(jìn)行煅燒,煅燒后冷卻至室溫;
(5)最后將步驟(4)中煅燒后得到的樣品置于鈦鹽、濃鹽酸和水的混合溶液中,水熱條件下,在基底表面形成無殘留層的TiO2圖案;
步驟(1)中的熱塑性聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚二丁烯、聚苯乙烯-丁二烯共聚物、聚對(duì)苯乙烯-聚氧化乙烯共聚物、ABS樹脂、聚丙烯酰胺、聚環(huán)氧乙烷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用室溫轉(zhuǎn)移壓印技術(shù)制備無殘留層的二氧化鈦圖案的方法,其特征在于:步驟(2)和(3)中的軟模板包括聚二甲基硅氧烷模板、三元乙丙橡膠模板、全氟聚醚模板、聚氨酯丙烯酸酯模板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用室溫轉(zhuǎn)移壓印技術(shù)制備無殘留層的二氧化鈦圖案的方法,其特征在于:步驟(3)~(5)中的基底包括平面及曲面硅片、氧化硅片、砷化鎵片、石英片、導(dǎo)電玻璃片、聚合物片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用室溫轉(zhuǎn)移壓印技術(shù)制備無殘留層的二氧化鈦圖案的方法,其特征在于:步驟(3)中的室溫為0~40℃,親水基底是通過氧等離子體、紫外臭氧或溶液處理基底實(shí)現(xiàn)的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種利用室溫轉(zhuǎn)移壓印技術(shù)制備無殘留層的二氧化鈦圖案的方法,其特征在于:所述的溶液處理基底是將基底放在氨水和雙氧水的混合水溶液,或?qū)⒒追旁跐饬蛩岷碗p氧水的混合溶液,在50~90℃加熱條件下進(jìn)行處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用室溫轉(zhuǎn)移壓印技術(shù)制備無殘留層的二氧化鈦圖案的方法,其特征在于:步驟(4)中的煅燒溫度為200~550℃,煅燒時(shí)間為1~7h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用室溫轉(zhuǎn)移壓印技術(shù)制備無殘留層的二氧化鈦圖案的方法,其特征在于:步驟(5)中的水熱條件的反應(yīng)溫度為80~200℃,反應(yīng)時(shí)間為2~19h。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江南大學(xué),未經(jīng)江南大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611093131.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作,例如,鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
G03F7-20 .曝光及其設(shè)備
- 轉(zhuǎn)移支撐件及轉(zhuǎn)移模塊
- 轉(zhuǎn)移頭及其制備方法、轉(zhuǎn)移方法、轉(zhuǎn)移裝置
- 器件轉(zhuǎn)移裝置、轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移設(shè)備和轉(zhuǎn)移系統(tǒng)
- 轉(zhuǎn)移基板及制備方法、轉(zhuǎn)移裝置、轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移裝置與轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移系統(tǒng)和轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移膜、轉(zhuǎn)移組件和微器件曲面轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移頭、轉(zhuǎn)移裝置和轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移工具及轉(zhuǎn)移方法





