[發(fā)明專利]一種位線地址選擇電路及非易失性存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611092532.8 | 申請日： | 2016-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN108133729B | 公開（公告）日： | 2021-08-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王韜 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/08 | 分類號： | G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 地址 選擇 電路 非易失性存儲器 | ||
1.一種位線地址選擇電路，用于具有至少雙存儲體的非易失性存儲器，包括比較放大器，其特征在于，還包括至少第一位線地址選擇器和至少第二位線地址選擇器，其中，所述第一位線地址選擇器連接所述比較放大器的同相輸入端和所述非易失性存儲器的第一存儲體，所述第二位線地址選擇器連接所述比較放大器的反相輸入端和所述非易失性存儲器的第二存儲體，
所述第一位線地址選擇器和所述比較放大器的同相輸入端通過第一開關(guān)連接至參考電流，所述第二位線地址選擇器和所述比較放大器的反相輸入端通過第二開關(guān)連接至所述參考電流，
其中寫入所述第一存儲體的數(shù)據(jù)的存儲狀態(tài)不變，寫入所述第二存儲體的數(shù)據(jù)的存儲狀態(tài)取反，從而使得數(shù)據(jù)在寫入與讀出每個存儲體時的狀態(tài)是一致的。
2.如權(quán)利要求1所述的位線地址選擇電路，其特征在于，所述第一存儲體和所述第二存儲體之一有效。
3.如權(quán)利要求2所述的位線地址選擇電路，其特征在于，當?shù)谝婚_關(guān)閉合，第二開關(guān)斷開時，所述第一存儲體有效；當所述第二開關(guān)閉合，所述第一開關(guān)斷開時，所述第二存儲體有效。
4.如權(quán)利要求1所述的位線地址選擇電路，其特征在于，所述第一位線地址選擇器和所述第二位線地址選擇器均連接使能信號。
5.如權(quán)利要求1所述的位線地址選擇電路，其特征在于，所述位線地址選擇電路還包括位線預充電模塊，其中所述比較放大器的同相輸入端和反相輸入端均連接至所述位線預充電模塊。
6.如權(quán)利要求1所述的位線地址選擇電路，其特征在于，所述位線地址選擇電路還包括緩沖器，所述緩沖器的輸入端連接至所述比較放大器的輸出端。
7.如權(quán)利要求1所述的位線地址選擇電路，其特征在于，所述第一位線地址選擇器包括第一PMOS管，所述第二位線地址選擇器包括第二PMOS管，其中：
所述第一PMOS管的源極連接所述比較放大器的同相輸入端，漏極連接所述第一存儲體，
所述第二PMOS管的源極連接所述比較放大器的反相輸入端，漏極連接所述第二存儲體。
8.如權(quán)利要求7所述的位線地址選擇電路，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的柵極均連接使能信號，且當所述使能信號為低電平時，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管有效。
9.如權(quán)利要求7所述的位線地址選擇電路，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源極均連接所述位線預充電模塊。
10.一種非易失性存儲器，具有至少雙存儲體，包括地址譯碼電路、位線地址選擇電路、位元電流放大電路和數(shù)據(jù)比較輸出電路，其中，所述位線地址選擇電路包括比較放大器，其特征在于，所述位線地址選擇電路還包括至少第一位線地址選擇器和至少第二位線地址選擇器，
其中，所述第一位線地址選擇器連接所述比較放大器的同相輸入端和所述非易失性存儲器的第一存儲體，所述第二位線地址選擇器連接所述比較放大器的反相輸入端和所述非易失性存儲器的第二存儲體，
所述第一位線地址選擇器和所述比較放大器的同相輸入端通過第一開關(guān)連接至參考電流，所述第二位線地址選擇器和所述比較放大器的反相輸入端通過第二開關(guān)連接至所述參考電流，
其中寫入所述第一存儲體的數(shù)據(jù)的存儲狀態(tài)不變，寫入所述第二存儲體的數(shù)據(jù)的存儲狀態(tài)取反，從而使得數(shù)據(jù)在寫入與讀出每個存儲體時的狀態(tài)是一致的。
11.如權(quán)利要求10所述的非易失性存儲器，其特征在于，當?shù)谝婚_關(guān)閉合，第二開關(guān)斷開時，所述第一存儲體有效；當所述第二開關(guān)閉合，所述第一開關(guān)斷開時，所述第二存儲體有效。
12.如權(quán)利要求11所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述位線地址選擇電路還包括位線預充電模塊，其中所述比較放大器的同相輸入端和反相輸入端均連接至所述位線預充電模塊。
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