[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板有效
| 申請號: | 201611090724.5 | 申請日: | 2016-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN108133932B | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發明(設計)人: | 郭志軒;王鳳國;武新國;李峰;劉弘;王子峰;李元博;馬波 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒;王小會 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,包括:
襯底基板;
光遮擋層,設置在所述襯底基板上;
壓力電極,與所述光遮擋層同層設置;
緩沖層,設置在所述光遮擋層和所述壓力電極上;
薄膜晶體管,包括依次設置在所述緩沖層上的有源層、柵極絕緣層和柵極;
壓力電極引線,與所述柵極同層設置;
其中,所述有源層包括溝道區域,所述光遮擋層被配置來遮擋入射到所述有源層的所述溝道區域的光線,所述壓力電極引線與所述壓力電極電連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述壓力電極引線通過形成在所述緩沖層和所述柵極絕緣層中的過孔與所述壓力電極電連接。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其中,所述過孔僅貫穿所述柵極絕緣層和所述緩沖層。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其中,所述過孔在垂直于所述襯底基板的方向上的高度為
5.根據權利要求1所述的陣列基板,還包括層間介電層,其中,所述薄膜晶體管還包括同層形成的源極和漏極,所述層間介電層位于所述柵極和所述同層形成的源極和漏極之間,所述源極和所述漏極分別與所述有源層電連接。
6.一種顯示面板,包括權利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其中,所述顯示面板包括液晶顯示面板或有機發光二極管顯示面板。
8.一種陣列基板的制作方法,包括:
在襯底基板上同層形成光遮擋層和壓力電極;
在所述光遮擋層和所述壓力電極上形成緩沖層;
在所述緩沖層上形成薄膜晶體管的有源層;
在所述有源層上形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上同層形成柵極和壓力電極引線;
其中,所述有源層包括溝道區域,所述光遮擋層被配置來遮擋入射到所述有源層的所述溝道區域的光線,所述壓力電極引線與所述壓力電極電連接。
9.根據權利要求8所述的陣列基板的制作方法,在所述柵極絕緣層上同層形成柵極和壓力電極引線之前,還包括在所述柵極絕緣層和所述緩沖層中形成過孔,所述壓力電極引線通過所述過孔與所述壓力電極電連接。
10.根據權利要求9所述的陣列基板的制作方法,其中,所述過孔僅貫穿所述柵極絕緣層和所述緩沖層。
11.根據權利要求10所述的陣列基板的制作方法,其中,所述過孔在垂直于所述襯底基板的方向上的高度為
12.根據權利要求8-11任一項所述的陣列基板的制作方法,還包括在所述柵極和所述壓力電極引線上形成層間介電層,以及在所述層間介電層上形成源極和漏極,其中,所述源極和所述漏極分別與所述有源層電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





