[發明專利]封裝基板及其制作方法有效
| 申請號: | 201611089792.X | 申請日: | 2016-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN108022870B | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發明(設計)人: | 胡竹青;許詩濱 | 申請(專利權)人: | 恒勁科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L23/52;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 及其 制作方法 | ||
1.一種封裝基板,其特征在于,包含:
一鑄模化合物主體,該鑄模化合物主體的頂面為平坦表面,該鑄模化合物主體的上半部包含一結合力增強層;
一具有第一阻障層的第一電路元件,設置于該鑄模化合物主體內,并具有多個位于該第一電路元件上側面的第一連接端;
多個第一導電貫孔,形成于該鑄模化合物主體內并連接至該多個第一連接端;
一具有第二阻障層的第二電路元件,設置于該鑄模化合物主體內,并具有多個位于該第二電路元件上側面的第二連接端;
多個第二導電貫孔,形成于該鑄模化合物主體內并連接至該多個第二連接端;以及
一重布線層,形成于該鑄模化合物主體上,并包含至少一導電線路,該至少一導電線路連接至該多個第一導電貫孔及該多個第二導電貫孔;
其中,該多個第一連接端位于該鑄模化合物主體內的一第一深度,該多個第二連接端位于該鑄模化合物主體內的一第二深度,且該第一深度不同于該第二深度,且該第一導電貫孔與該第二導電貫孔的深度不同但最高點的高度相等,
多個第一導電貫孔、多個第二導電貫孔為采用激光鉆孔的方式形成。
2.根據權利要求1所述的封裝基板,其特征在于,該第一電路元件為半導體芯片或電子元件,且該第二電路元件為半導體芯片或電子元件。
3.根據權利要求1所述的封裝基板,其特征在于,該多個阻障層以化學沉積無電電鍍方式形成于該第一電路元件與該第二電路元件上,該多個阻障層為材質為銅、銀、鋅/鎳/銅的多層金屬或材質為鋅/鎳/銀的多層金屬。
4.根據權利要求1所述的封裝基板,其特征在于,進一步包含一金屬板,且該鑄模化合物主體通過一導熱黏接層而黏貼于該金屬板上。
5.根據權利要求1所述的封裝基板,其特征在于,進一步包含一絕緣保護層,該絕緣保護層形成于該鑄模化合物主體下方。
6.一種封裝基板的制作方法,該封裝基板包含:一頂面為平坦表面的鑄模化合物主體;一具有第一阻障層的第一電路元件,設置于該鑄模化合物主體內,并具有彼此相對的一第一表面及一第二表面,且該第一電路元件包含多個位于該第一表面的第一連接端;多個第一導電貫孔,形成于該鑄模化合物主體內并連接至該多個第一連接端;一具有第二阻障層的第二電路元件,設置于該鑄模化合物主體內,并具有彼此相對的一第三表面及一第四表面,且該第二電路元件包含多個位于該第三表面的第二連接端;多個第二導電貫孔,形成于該鑄模化合物主體內并連接至該多個第二連接端;以及一重布線層,形成于該鑄模化合物主體上,并包含至少一導電線路,該至少一導電線路連接至該多個第一導電貫孔及該多個第二導電貫孔;其特征在于,該方法包含下列步驟:
(A)提供一附加電路板;
(B)將該具有第一阻障層的第一電路元件的該第二表面以及該具有第二阻障層的第二電路元件的該第四表面黏貼于該附加電路板上,且該第一電路元件與該第二電路元件在垂直方向上不重迭,其中,該多個第一連接端位于該附加電路板上的一第一高度,該多個第二連接端位于該附加電路板上的一第二高度,且該第一高度不同于該第二高度;
(C)形成一鑄模化合物,使其包覆該第一電路元件及該第二電路元件,且該鑄模化合物主體的頂面為平坦表面;
(D)對該鑄模化合物進行開孔,形成多個第一貫孔于該多個第一連接端上,多個第二貫孔形成于該多個第二連接端上,其中該第一貫孔與該第二貫孔的深度不同但最高點的高度相等;
(E)填充一導電材料于該多個第一貫孔及該多個第二貫孔,以分別形成該多個第一導電貫孔及該多個第二導電貫孔,且該第一導電貫孔與該第二導電貫孔的深度不同但最高點的高度相等;以及
(F)形成一重布線層于該多個第一導電貫孔及該多個第二導電貫孔上,
其中,步驟(D)為采用激光鉆孔方式,
在步驟(C)之后,進一步包含以下步驟:形成一結合力增強層于該鑄模化合物上。
7.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,步驟(D)所使用的形成該多個第一貫孔的激光能量不同于形成該多個第二貫孔的激光能量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





