[發明專利]低接觸電阻型GaN基器件及其制作方法有效
| 申請號： | 201611087793.0 | 申請日： | 2016-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN106449737B | 公開（公告）日： | 2019-06-21 |
| 發明（設計）人： | 楊凌;康慨;周小偉;馬曉華;郝躍 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/45 | 分類號： | H01L29/45;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陜西電子工業專利中心 61205 | 代理人： | 王品華;朱紅星 |
| 地址： | 710071 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接觸 電阻 gan 器件 及其 制作方法 | ||
【說明書】：
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