[發明專利]低接觸電阻型GaN基器件及其制作方法有效
| 申請號： | 201611087793.0 | 申請日： | 2016-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN106449737B | 公開（公告）日： | 2019-06-21 |
| 發明（設計）人： | 楊凌;康慨;周小偉;馬曉華;郝躍 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/45 | 分類號： | H01L29/45;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陜西電子工業專利中心 61205 | 代理人： | 王品華;朱紅星 |
| 地址： | 710071 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接觸 電阻 gan 器件 及其 制作方法 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安電子科技大學，未經西安電子科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611087793.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
