[發明專利]一種基于前層圖形判別的離子注入層邊界的光學臨近修正方法

有效

• 申請號: 201611085965.0
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN106597804B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 張逸中;張月雨;于世瑞
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;H01L21/266
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

本發明提供了一種基于前層圖形判別的離子注入層邊界的OPC修正方法，對落在淺溝槽隔離區上的離子注入層邊界進行優化修正，滿足生產所需的精度要求。通過將離子注入層邊界移動到冗余填充圖形上或者向器件圖形靠攏的操作，消除了來自多晶硅及底部襯底反射的影響，并且由于淺溝槽隔離區上的離子注入是無效的，所以本發明仍然滿足設計規則要求，同時又有效地降低了離子注入層光刻膠脫落的風險，提高了產品的良率。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發明涉及一種基于前層圖形判別的離子注入層邊界的光學臨近修正方法。

背景技術

隨著半導體工藝的不斷發展，技術節點的不斷減小，離子注入層圖形的特征尺寸及與前層的對準精度要求越來越高。在曝光過程中，由于前層襯底形貌起伏的影響，來自硅片襯底和前層多晶硅的反射光也會對光刻膠層曝光，從而造成打開的光刻膠區域即離子注入層的圖案與設計的圖案有偏差，以致對準精度下降，甚至造成光刻膠與襯底結合不牢而脫落。

光學臨近修正(OPC)是解決上述問題常用的手段之一，設計者為了增加曝光圖案的真實性,利用一系列復雜的計算機算法，對掩蔽層上的離子注入層邊界進行光學臨近修正，即對掩蔽層上面的離子注入層邊界進行選擇性補償，將上述反射光產生的光學效應盡可能補償掉，就可以在實際光刻中得到真正想要的圖形。

現有的光學臨近修正方法是通過對大量的測試圖形進行測試并收集數據建立數據庫，再根據數據反饋情況從數據庫中選擇最接近的情況補償離子注入層邊界的修正，該方法必須進行大量的實驗來得到足夠多的數據庫數據，因此成本較高，并且不能完全涵蓋所有的可能，尤其對于來自硅片襯底和前層多晶硅的反射光的影響數據不全，導致光學臨近修正的結果不精確，無法滿足小尺寸版圖設計時對線寬精度控制的要求。

發明內容

為了克服現有技術存在的上述缺陷，本發明提供一種基于前層圖形判別的離子注入層邊界的OPC修正方法，降低了離子注入層光刻膠脫落的風險，提高了產品的良率。

為了實現上述目的，本發明的技術方案如下：

一種基于前層圖形判別的離子注入層邊界的光學鄰近修正方法，包括以下步驟：

步驟S01：根據離子注入層版圖圖形，選定離子注入層落在淺溝槽隔離區內的邊界；

步驟S02：在所述離子注入層的區域中，找到最接近所述邊界的前層圖形；

步驟S03：判定所述前層圖形的種類，所述前層圖形的種類包括冗余填充圖形和非冗余填充圖形兩類，若所述前層圖形為冗余填充圖形，則將所述邊界移動到所述冗余填充圖形上，以對所述邊界進行基于模型的OPC修正；若所述前層圖形為非冗余填充圖形，則執行步驟S04；

步驟S04：若所述的前層圖形為非冗余填充圖形，則將所述邊界向所述非冗余填充圖形靠攏，且與非冗余填充圖形的最小距離不違反預設值，以對所述邊界進行基于模型的OPC修正。

進一步的，步驟S03中，將所述邊界移動至所述冗余填充圖形的中間，所述邊界與所述冗余填充圖形的中心線的距離不大于5nm。

進一步的，步驟S04中，所述預設值為30nm—100nm。

進一步的，所述的冗余填充圖形為有源區和多晶硅集合。

進一步的，所述的非冗余填充圖形為有源區和多晶硅構成的器件圖形。

本發明提供的基于前層圖形判別的離子注入層邊界的OPC修正方法，可以對落在淺溝槽隔離區上的離子注入層邊界進行優化修正，滿足生產所需的精度要求。通過將離子注入層邊界移動到冗余填充圖形上或者向器件圖形靠攏的操作，消除了來自多晶硅及底部襯底反射的影響，并且由于淺溝槽隔離區上的離子注入是無效的，所以本發明仍然滿足設計規則要求，同時又有效地降低了離子注入層光刻膠脫落的風險，提高了產品的良率。

附圖說明