[發(fā)明專利]一種基于前層圖形判別的離子注入層邊界的光學臨近修正方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611085965.0
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN106597804B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 張逸中;張月雨;于世瑞
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;H01L21/266
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種基于前層圖形判別的離子注入層邊界的OPC修正方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：根據(jù)離子注入層版圖圖形，選定離子注入層落在淺溝槽隔離區(qū)內的邊界；

步驟S02：在所述離子注入層的區(qū)域中，找到最接近所述邊界的前層圖形；

步驟S03：判定所述前層圖形的種類，所述前層圖形的種類包括冗余填充圖形和非冗余填充圖形兩類，若所述前層圖形為冗余填充圖形，則將所述邊界移動到所述冗余填充圖形上，以對所述邊界進行基于模型的OPC修正，減小離子注入層落入淺溝槽隔離區(qū)的面積，即減小光刻膠打開的面積；若所述前層圖形為非冗余填充圖形，則執(zhí)行步驟S04；

步驟S04：若所述的前層圖形為非冗余填充圖形，則將所述邊界向所述非冗余填充圖形靠攏，且與非冗余填充圖形的最小距離不違反預設值，以對所述邊界進行基于模型的OPC修正；

其中，通過兩種移動離子注入層邊界的方案，消除對準偏差造成的離子注入層的加工誤差，同時解決曝光過程中的反射光影響問題，使得留存的光刻膠面積增加，降低離子注入層光刻膠脫落的風險。

2.根據(jù)權利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，步驟S03中，將所述邊界移動至所述冗余填充圖形的中間，所述邊界與所述冗余填充圖形的中心線的距離不大于5nm。

3.根據(jù)權利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，步驟S04中，所述預設值為30nm—100nm。

4.根據(jù)權利要求1～3中任意一項所述的OPC修正方法，其特征在于，所述冗余填充圖形為有源區(qū)和多晶硅集合。

5.根據(jù)權利要求1～3中任意一項所述的OPC修正方法，其特征在于，所述非冗余填充圖形為有源區(qū)和多晶硅構成的器件圖形。