[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611085233.1
• 申請(qǐng)日: 2016-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106972049A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯承浩;許家瑋;于雄飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 王芝艷

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括︰

形成一柵極堆疊以至少局部位于延伸自一基底的一鰭部上方；

沉積一阻擋金屬層于該柵極堆疊上方；

進(jìn)行一熱氟處理，其中該熱氟處理形成一氟化層于該阻擋金屬層內(nèi)，且其中該氟化層具有多個(gè)氟原子；以及

在形成該氟化層之后，進(jìn)行退火以驅(qū)入至少一些的該等氟原子于該柵極堆疊內(nèi)，借以利用該至少一些的該等氟原子共摻雜該柵極堆疊。