[發明專利]一種晶圓承載盒、晶圓激光打標系統及方法在審
| 申請號: | 201611082462.8 | 申請日: | 2016-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN108122807A | 公開(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發明(設計)人: | 陳勇;姜春亮 | 申請(專利權)人: | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/673;B41J2/435;B41J3/407 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;安利霞 |
| 地址: | 100871 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓 激光打標 激光束 承載盒 打標 預設 種晶 激光 控制激光器 承載臺 多層 耗時 平行 承載 發射 移動 覆蓋 | ||
本發明提供了一種晶圓承載盒、晶圓激光打標系統及方法,其中,晶圓激光打標的方法包括:將多層晶圓由上而下依次相間隔且平行地設置于一承載臺上,且每一晶圓上的預設打標區域不被上方所設置的任一晶圓所覆蓋;控制激光器發射激光束,并控制激光束相對承載臺移動,以使激光束自上而下依次對每一晶圓的預設打標區域進行激光打標。本發明實施例提高了晶圓激光打標的效率,解決了現有技術中對晶圓進行激光打標時耗時較長且效率較低的問題。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,尤其涉及一種晶圓承載盒、晶圓激光打標系統及方法。
背景技術
在晶圓的制造工藝中,投片后的第一步工藝就是對晶圓進行激光打標。在對晶圓進行激光打標的過程中,通常先將晶圓從晶圓承載裝置中取出,然后通過傳送系統將晶圓送入腔室中,當晶圓對準激光束之后開始進行激光打標。在激光打標過程中,為了縮短激光打標的時間,有的傳送系統可先后取出兩個晶圓,一個送進腔室,另一個在傳送平臺上等候。但是,現有技術中仍然存在著對晶圓進行激光打標時耗時較長且效率較低的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種晶圓承載盒、晶圓激光打標系統及方法,以解決現有技術中對晶圓進行激光打標時耗時較長且效率較低的問題。
第一方面,本發明實施例提供一種晶圓激光打標的方法,包括:
將多層晶圓由上而下依次相間隔且平行地設置于一承載臺上,且每一晶圓上的預設打標區域不被上方所設置的任一晶圓所覆蓋;
控制激光器發射激光束,并控制激光束相對承載臺移動,以使激光束自上而下依次對每一晶圓的預設打標區域進行激光打標。
可選地,所述控制激光器發射激光束,并控制激光束相對承載臺移動的步驟,包括:控制激光器位于多層晶圓中待打標晶圓的預設打標區域的起始打標位置處的正上方位置時,控制激光器發射激光束;其中,待打標晶圓為所述多層晶圓中的任一晶圓;控制激光束相對承載臺按照晶圓的預設打標軌跡進行移動,以完成激光束對待打標晶圓的預設打標區域的激光打標;自上而下依次完成對每一晶圓的預設打標區域的激光打標。
可選地,控制激光器位于多層晶圓中待打標晶圓的預設打標區域的起始打標位置處的正上方位置的步驟,包括:獲取待打標晶圓的預設打標區域的起始打標位置與激光器之間的相對水平位置關系;根據所述相對水平位置關系,控制激光器和承載臺中的其中一個靜止不動,并控制激光器和承載臺中的另一個移動,以使激光器位于待打標晶圓的預設打標區域的起始打標位置處的正上方位置。
可選地,控制激光束相對承載臺按照晶圓的預設打標軌跡進行移動的步驟,包括:控制激光器和承載臺中的其中一個靜止不動,并控制激光器和承載臺中的另一個按照晶圓的預設打標軌跡進行移動,以完成激光束對待打標晶圓的預設打標區域的激光打標。
第二方面,本發明實施例提供了一種晶圓承載盒,包括:
盒體,一側設置有開口;
多個晶圓固定板,所述多個晶圓固定板的一端處設置有用于插設晶圓的晶圓插接槽,所述多個晶圓固定板由上而下依次相間隔且平行地垂直設置于所述盒體內與所述開口方向相對的底板上,且所述晶圓插接槽的長度由上而下依次增大。
可選地,所述晶圓承載盒還包括多個第一隔板和多個第二隔板,所述多個第一隔板由上而下依次相間隔且平行地垂直設置于與所述底板相鄰的第一側板上,且所述多個第一隔板中的任一第一隔板在垂直方向上處于所述多個晶圓固定板中相鄰兩個晶圓固定板之間;所述多個第二隔板與所述多個第一隔板一一相對應的設置于與所述第一側板相對的第二側板上。
第三方面,本發明實施例提供了一種晶圓激光打標系統,所述晶圓激光打標系統包括第二方面中任一項所述的晶圓承載盒,且所述晶圓承載盒內安裝有多個晶圓,所述晶圓激光打標系統還包括:
承載臺,所述晶圓承載盒固定設置于所述承載臺上;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





