[發(fā)明專利]一種用于DRAM或eDRAM刷新的裝置及其方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611080414.5
• 申請(qǐng)日: 2016-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN106856098B
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張士錦;羅韜;劉少禮;陳云霽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): G11C11/406
• 分類號(hào): G11C11/406
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 祁建國;許志影

本發(fā)明公開了一種用于DRAM或eDRAM刷新的裝置及其方法，DRAM或eDRAM設(shè)置有存儲(chǔ)單元，該裝置包括：存儲(chǔ)控制裝置、刷新控制裝置；所述存儲(chǔ)控制裝置，用于接收讀寫請(qǐng)求，并根據(jù)所述刷新控制裝置的輸出決定向存儲(chǔ)單元發(fā)送讀寫請(qǐng)求或刷新請(qǐng)求；所述刷新控制裝置，用于控制生成刷新信號(hào)，并根據(jù)所述存儲(chǔ)控制裝置的輸出來記錄刷新是否被延遲和讀寫的行地址。本發(fā)明能夠減少讀寫與刷新之間的沖突，達(dá)到增加DRAM或者eDRAM性能的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及刷新技術(shù)，特別是涉及一種用于DRAM或eDRAM刷新的裝置及其方法。

背景技術(shù)

在傳統(tǒng)的刷新方式中，在每個(gè)刷新周期內(nèi)都會(huì)有段時(shí)間用于刷新，如圖1所示，在每個(gè)刷新周期內(nèi)，時(shí)間軸被分成兩個(gè)部分，一部分時(shí)間用于讀寫，另一部分時(shí)間用于刷新。

現(xiàn)有刷新方式當(dāng)DRAM在進(jìn)行刷新時(shí)，無法進(jìn)行讀寫操作，被稱作死區(qū)時(shí)間，降低了DRAM吞吐量，并且讀寫的延遲會(huì)變得很高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種用于DRAM或eDRAM刷新的裝置及其方法，用于減少刷新和讀寫之間的沖突問題，達(dá)到增加DRAM或者eDRAM性能的效果。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種用于DRAM或eDRAM刷新的裝置，DRAM或eDRAM設(shè)置有存儲(chǔ)單元，該裝置包括：存儲(chǔ)控制裝置、刷新控制裝置；

所述存儲(chǔ)控制裝置，用于接收讀寫請(qǐng)求，并根據(jù)所述刷新控制裝置的輸出決定向存儲(chǔ)單元發(fā)送讀寫請(qǐng)求或刷新請(qǐng)求；

所述刷新控制裝置，用于控制生成刷新信號(hào)，并根據(jù)所述存儲(chǔ)控制裝置的輸出來記錄刷新是否被延遲和讀寫的行地址。

所述的用于DRAM或eDRAM刷新的裝置，其中，所述存儲(chǔ)控制裝置包括：

讀緩存，用于緩存從存儲(chǔ)單元中讀出的數(shù)據(jù)；

寫緩存，用于緩存要寫入到存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)；

控制邏輯單元，用于接收讀寫請(qǐng)求；

存儲(chǔ)控制信號(hào)發(fā)生器，用于接收所述控制邏輯單元發(fā)送的命令，并將該命令譯碼成存儲(chǔ)單元可識(shí)別的命令。

所述的用于DRAM或eDRAM刷新的裝置，其中，所述刷新控制裝置包括：

刷新周期寄存器，用于存儲(chǔ)刷新周期；

刷新延遲計(jì)數(shù)器，用于存儲(chǔ)當(dāng)前刷新被延遲的時(shí)間；

刷新周期計(jì)數(shù)器，用于對(duì)每個(gè)刷新周期計(jì)時(shí)；

刷新行數(shù)計(jì)數(shù)器，用于記錄當(dāng)前刷新的行數(shù)；

刷新邏輯單元，用于判斷寄存器當(dāng)前的被讀寫狀態(tài)，并向所述控制邏輯單元發(fā)送刷新的狀態(tài)；

總行數(shù)寄存器，用于存儲(chǔ)總的行數(shù)；

刷新延遲寄存器，用于存儲(chǔ)刷新總的可被延遲的時(shí)間；

讀寫標(biāo)志寄存器，用于存儲(chǔ)在可延遲刷新階段內(nèi)讀寫過的行地址。

所述的用于DRAM或eDRAM刷新的裝置，其中，所述刷新邏輯單元當(dāng)接收到讀寫請(qǐng)求時(shí)，停止刷新，控制所述刷新延遲計(jì)數(shù)器開始計(jì)數(shù)，同時(shí)在所述讀寫標(biāo)志寄存器中記錄讀寫的行地址，并發(fā)送當(dāng)前刷新是否可被打斷的信號(hào)至所述控制邏輯單元。

所述的用于DRAM或eDRAM刷新的裝置，其中，所述刷新邏輯單元在當(dāng)前刷新未完成，且當(dāng)所述刷新延遲計(jì)數(shù)器中的時(shí)間等于所述刷新延遲寄存器中的時(shí)間時(shí)，返回一當(dāng)前刷新不可被打斷的信號(hào)至所述控制邏輯單元，控制所述控制邏輯單元繼續(xù)刷新；或在當(dāng)前刷新已完成或所述刷新延遲寄存器與所述刷新延遲計(jì)數(shù)器中的時(shí)間差值大于所述總行數(shù)寄存器與所述刷新行數(shù)計(jì)數(shù)器中的行數(shù)差值與每行刷新時(shí)間的乘積時(shí)，返回一可被讀寫的信號(hào)至所述控制邏輯單元。