[發(fā)明專利]修調(diào)帶隙基準(zhǔn)的電路及方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611079716.0
• 申請(qǐng)日: 2016-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN108121390A
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈天平;羅先才
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫華潤矽科微電子有限公司
• 主分類號(hào): G05F1/567
• 分類號(hào): G05F1/567
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種修調(diào)帶隙基準(zhǔn)的電路，其特征在于，所述的電路包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一N型MOS管、第二N型MOS管、運(yùn)算放大器、緩沖器、電容、多個(gè)第一修調(diào)電阻、多個(gè)第一激光熔絲、多個(gè)第三修調(diào)電阻和多個(gè)第三激光熔絲，所述的多個(gè)第一修調(diào)電阻與所述的多個(gè)第一激光熔絲一一對(duì)應(yīng)，所述的多個(gè)第三修調(diào)電阻與所述的多個(gè)第三激光熔絲一一對(duì)應(yīng)，所述的第一三極管的基極與所述的第一三極管的集電極相連接并接VDD，所述的第一三極管的發(fā)射極分別與所述的第二三極管的基極、所述的第三三極管的基極、所述的第二三極管的集電極和所述的第三三極管的集電極相連接，所述的多個(gè)第一修調(diào)電阻串聯(lián)連接于所述的第三三極管的發(fā)射極和所述的第三電阻的第一端之間，所述的多個(gè)第一激光熔絲分別并聯(lián)于對(duì)應(yīng)的第一修調(diào)電阻的兩端，所述的第三電阻的第二端分別與所述的運(yùn)算放大器的正相輸入端和所述的第二電阻的第一端相連接相連接，所述的運(yùn)算放大器的反相輸入端分別與所述的第二三極管的發(fā)射極和所述的第四電阻的第一端相連接，所述的第四電阻的第二端分別與所述的第一電阻的第一端和所述的第二電阻的第二端相連接，所述的多個(gè)第三修調(diào)電阻串聯(lián)連接于所述的第一電阻的第二端和所述的第一N型MOS管的漏極之間，所述的多個(gè)第三激光熔絲分別并聯(lián)于對(duì)應(yīng)的第三修調(diào)電阻的兩端，所述的第一N型MOS管的柵極接VBIAS，所述的第一N型MOS管的源極與所述的第二N型MOS管的源極相連接并接地，所述的第二N型MOS管的漏極分別與所述的第一N型MOS管的漏極、所述的緩沖器的正相輸入端和所述的電容的第一端相連接，所述的電容的第二端分別與所述的第二N型MOS管的柵極和所述的運(yùn)算放大器的輸出端相連接，所述的緩沖器的反相輸入端與所述的緩沖器的輸出端相連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修調(diào)帶隙基準(zhǔn)的電路，其特征在于，所述的第一三極管、第二三極管和第三三極管均為NPN三極管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修調(diào)帶隙基準(zhǔn)的電路，其特征在于，所述的多個(gè)第一修調(diào)電阻和多個(gè)第三修調(diào)電阻均為激光熔絲電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修調(diào)帶隙基準(zhǔn)的電路，其特征在于，所述的電路還包括外圍電路，所述的外圍電路包括第五電阻和第六電阻，所述的緩沖器的反相輸入端還與所述的第六電阻的第二端相連接，所述的第六電阻的第一端與所述的第五電阻的第二端相連接并接VREF+，所述的第五電阻的第一端接VDD。

5.一種通過權(quán)利要求1所述的電路修調(diào)帶隙基準(zhǔn)的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步驟：

(1)對(duì)比整機(jī)讀數(shù)和校準(zhǔn)源輸出電壓；

(2)判斷精度是否在規(guī)定范圍內(nèi)，如果是，則結(jié)束校準(zhǔn)，否則，繼續(xù)步驟(3)；

(3)調(diào)整電阻的阻值直至讀數(shù)在規(guī)范之內(nèi)，繼續(xù)步驟(1)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的修調(diào)帶隙基準(zhǔn)的方法，其特征在于，所述的調(diào)整電阻的阻值，具體為：

通過燒斷數(shù)個(gè)第一激光熔絲來增大第一電阻和多個(gè)第一調(diào)整電阻的總阻值以增大基準(zhǔn)電壓，或通過燒斷數(shù)個(gè)第三激光熔絲來增大第三電阻和多個(gè)第三調(diào)整電阻的總阻值以減小基準(zhǔn)電壓。