[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 201611079386.5
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN107039341A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 森數洋司
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,于靖帥

1.一種晶片的加工方法，將在正面的由多條分割預定線劃分的區域內分別具有器件的晶片沿著分割預定線分割成各個器件，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：

一體化工序，使支承基板與晶片的正面相對并借助結合材料而粘貼成一體；

背面磨削工序，在實施了該一體化工序之后，對該晶片的背面進行磨削而使晶片變薄；

切斷工序，從磨削后的該晶片的背面沿著分割預定線按照每個器件進行切斷；

保護部件配設工序，在沿著分割預定線被切斷的該晶片的背面上配設保護部件；

結合材料破壞工序，在實施了保護部件配設工序之后，將對于該支承基板具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于該結合材料而進行照射從而將該結合材料破壞；以及

支承基板剝離工序，在實施了該結合材料破壞工序之后，將該支承基板從該器件剝離而分離成每個器件。

2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在該保護部件配設工序中，將晶片收納在具有對晶片進行收納的開口部的框架的該開口部中并且利用粘合帶對晶片的背面與框架的外周進行粘貼而借助粘合帶將晶片支承在框架上，從而在晶片的背面上配設保護部件，

該晶片的加工方法還具有如下的拾取工序：在該支承基板剝離工序之后，對粘合帶進行擴張而使器件的間隔擴張并從粘合帶拾取器件。

3.根據權利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，

該切斷工序包含由切削刀具進行的切斷、由激光光線進行的切斷、由等離子蝕刻進行的切斷以及由濕蝕刻進行的切斷中的任意方式。