[發明專利]非易失性存儲器裝置、存儲器系統及操作它們的方法

有效

• 申請號: 201611079351.1
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN106847338B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 樸鐘哲;劉玹映;樸商秀
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

本發明提供了非易失性存儲器裝置、存儲器系統及操作它們的方法。提供了如下一種操作包括三維(3D)存儲器單元陣列的非易失性存儲器裝置的方法。利用第一讀電壓電平對連接至第一字線的第一存儲器單元執行第一讀操作。如果第一讀操作失敗，則對第一存儲器單元執行讀重試操作，以將讀重試電壓電平設為第二讀電壓電平。基于第一讀電壓電平與第二讀電壓電平之間的差來確定讀偏移表。讀偏移表存儲多個讀電壓偏移。利用通過利用讀偏移表確定的第三讀電壓電平對連接至第二字線的第二存儲器單元執行第二讀操作。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2015年12月4日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2015-0172662的優先權，該申請的公開以引用方式全文并入本文中。

技術領域

本發明構思涉及非易失性存儲器裝置、包括該非易失性存儲器裝置的存儲器系統、操作該非易失性存儲器裝置的方法以及操作該存儲器系統的方法。

背景技術

將存儲數據的存儲器裝置分為易失性存儲器裝置或者非易失性存儲器裝置。作為非易失性存儲器裝置的示例，將閃速存儲器裝置用于移動電話、數碼相機、個人數字助理(PDA)、便攜式計算機裝置、計算機裝置和其它裝置中。

發明內容

根據示例性實施例，提供了如下一種操作包括三維(3D)存儲器單元陣列的非易失性存儲器裝置的方法。利用第一讀電壓電平對連接至第一字線的第一存儲器單元執行第一讀操作。如果第一讀操作失敗，則對第一存儲器單元執行讀重試操作，以將讀重試電壓電平設為第二讀電壓電平。基于第一讀電壓電平與第二讀電壓電平之間的差來確定讀偏移表。讀偏移表存儲多個讀電壓偏移。利用通過利用讀偏移表確定的第三讀電壓電平對連接至第二字線的第二存儲器單元執行第二讀操作。

根據本發明構思的示例性實施例，提供了如下一種操作存儲器系統的方法，所述存儲器系統包括具有3D存儲器單元陣列的非易失性存儲器裝置和被構造為控制非易失性存儲器裝置的存儲器控制器。利用第一讀電壓電平對連接至第一字線的第一存儲器單元執行第一讀操作。如果第一讀操作失敗，則利用讀重試電壓對第一存儲器單元執行讀重試操作。在讀重試操作中，讀重試電壓設為第二讀電壓電平。存儲器控制器基于第一讀電壓電平與第二讀電壓電平之間的差來確定讀偏移表。讀偏移表存儲多個讀電壓偏移。存儲器控制器將從讀偏移表的所述多個讀電壓偏移中選擇的讀電壓偏移發送至非易失性存儲器裝置。選擇的讀電壓偏移對應于第二字線。利用選擇的讀電壓偏移對連接至第二字線的第二存儲器單元執行第二讀操作。

根據本發明構思的示例性實施例，提供了一種操作存儲器系統的方法，所述存儲器系統包括具有3D存儲器單元陣列的非易失性存儲器裝置和被構造為控制非易失性存儲器裝置的存儲器控制器。利用第一讀電壓電平對連接至第一字線的第一存儲器單元執行第一讀操作。如果第一讀操作失敗，則利用讀重試電壓對第一存儲器單元執行讀重試操作。讀重試電壓電平設為第二讀電壓電平。存儲器控制器基于第一讀電壓電平與第二讀電壓電平之間的差確定讀偏移表。讀偏移表存儲多個讀電壓偏移。存儲器控制器利用讀偏移表來確定第三讀電壓電平。利用第三讀電壓電平對連接至第二字線的第二存儲器單元執行第二讀操作。

根據本發明構思的示例性實施例，提供了如下一種非易失性存儲器裝置。存儲器單元陣列包括連接至豎直地堆疊在襯底上的多根字線的多個存儲器單元。控制邏輯電路對第一字線執行第一讀操作和讀重試操作，以根據第一讀操作的默認讀電壓電平與讀重試操作的讀重試電壓電平之間的差來確定讀偏移表，并且利用讀偏移表對第二字線執行第二讀操作。讀偏移表存儲多個讀電壓偏移。以多根字線中的預定數量的字線為單位來設置多個讀電壓偏移中的每一個。

根據本發明構思的示例性實施例，提供了如下一種存儲器系統。存儲器裝置包括連接至豎直地堆疊在襯底上的多根字線的多個存儲器單元。存儲器控制器對第一字線執行第一讀操作和讀重試操作，以根據第一讀操作的默認讀電壓電平與讀重試操作的讀重試電壓電平之間的差來確定讀偏移表，并且利用讀偏移表對第二字線執行第二讀操作。讀偏移表存儲多個讀電壓偏移。以多根字線中的預定數量的字線為單位來設置多個讀電壓偏移中的每一個。