[發明專利]非易失性存儲器裝置、存儲器系統及操作它們的方法

有效

• 申請號: 201611079351.1
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN106847338B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 樸鐘哲;劉玹映;樸商秀
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種操作包括三維存儲器單元陣列的非易失性存儲器裝置的方法，該方法包括：

利用第一讀電壓電平對連接至第一字線的第一存儲器單元執行第一正常讀操作；

如果第一正常讀操作失敗，則對第一存儲器單元執行讀重試操作，以將讀重試電壓電平設為第二讀電壓電平；

基于第一讀電壓電平與第二讀電壓電平之間的差從多個讀偏移表中選擇讀偏移表，其中選擇的讀偏移表存儲多個讀電壓偏移，讀電壓偏移中的每一個對應于多根字線中的各自一根字線；以及

通過利用第三讀電壓電平對連接至第二字線的第二存儲器單元執行第二正常讀操作，通過將來自選擇的讀偏移表的對應于第二字線的讀電壓偏移施加至第一讀電壓電平來確定第三讀電壓電平。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

存儲所述多個讀偏移表。

3.根據權利要求2所述的方法，

其中，根據包括保留時間或讀擾動的讀環境來定義所述多個讀偏移表中的每一個。

4.根據權利要求2所述的方法，

其中，所述多個讀偏移表被存儲在三維存儲器單元陣列的部分區域中。

5.根據權利要求2所述的方法，

其中，通過存儲器塊單位、叢單位或芯片單位來定義所述多個讀偏移表。

6.根據權利要求1所述的方法，

其中，利用讀重試電壓電平對第一存儲器單元執行讀重試操作，并且

其中，如果讀重試操作成功，則將讀重試電壓電平設為第二讀電壓電平。

7.根據權利要求2所述的方法，

字線包括多個字線組，并且

其中，各字線組位于相對于襯底的不同距離。

8.根據權利要求1所述的方法，

其中，三維存儲器單元陣列包括穿過所述多根字線的溝道孔，并且

其中，根據與所述多根字線中的每一根相對應的溝道孔尺寸的大小來確定所述多個讀電壓偏移。

9.一種操作存儲器系統的方法，所述存儲器系統包括具有三維存儲器單元陣列的非易失性存儲器裝置和被構造為控制非易失性存儲器裝置的存儲器控制器，所述方法包括：

利用第一讀電壓電平對連接至第一字線的第一存儲器單元執行第一正常讀操作；

如果第一正常讀操作失敗，則利用讀重試電壓對第一存儲器單元執行讀重試操作，其中讀重試電壓設為第二讀電壓電平；

通過存儲器控制器基于第一讀電壓電平與第二讀電壓電平之間的差從多個讀偏移表中選擇讀偏移表，其中選擇的讀偏移表存儲多個讀電壓偏移，讀電壓偏移中的每一個對應于多根字線中的各自一根字線；

通過存儲器控制器將從選擇的讀偏移表的所述多個讀電壓偏移中選擇的讀電壓偏移發送至非易失性存儲器裝置，其中選擇的讀電壓偏移對應于第二字線；以及

利用第三讀電壓電平對連接至第二字線的第二存儲器單元執行第二正常讀操作，其中，通過將選擇的讀電壓偏移施加至第一讀電壓電平來確定第三讀電壓電平。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

存儲所述多個讀偏移表。

11.根據權利要求10所述的方法，

其中，所述多個讀偏移表被存儲在包括在存儲器控制器內的緩沖存儲器中或者位于存儲器控制器外部的非易失性存儲器中。

12.根據權利要求9所述的方法，還包括：

將從第一正常讀操作獲得的數據的失效位的數量與能夠通過誤差校正碼校正的失效位的數量所對應的參考值進行比較，以確定第一正常讀操作是否失敗；以及

如果讀重試操作成功，則將讀重試電壓確定為第二讀電壓電平。

13.根據權利要求12所述的方法，

其中，通過非易失性存儲器裝置來執行比較數據的失效位的數量以及確定讀重試電壓。