[發(fā)明專利]一種多晶硅柵極的生長方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611077583.3
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN106783567B
• 公開（公告）日: 2019-11-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 信恩龍;李潤領(lǐng);關(guān)天鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/285
• 代理公司: 31275 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)
• 代理人: 吳世華;陳慧弘<國際申請>=<國際公布>

1.一種多晶硅柵極的生長方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：提供一半導(dǎo)體襯底；

步驟S02：在所述襯底上形成淺溝槽隔離區(qū)，其它區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)，用二氧化硅填充所述淺溝槽隔離區(qū)直至高于所述有源區(qū)上表面，形成一具有一定高度的臺階，在所述有源區(qū)上表面生長一層?xùn)艠O氧化層；

步驟S03：采用選擇性沉積工藝方法生長第一柵極，且第一柵極的厚度大于等于所述臺階的高度；其中，在有源區(qū)薄的氧化物和淺溝槽隔離區(qū)厚的氧化物上有選擇性的沉積第一柵極，使在初始階段有源區(qū)上的生長速率快于淺溝槽隔離區(qū)的生長速率，依靠不同的生長速率抹平原有的臺階高度差，形成第一柵極的厚度與臺階的高度相匹配；

步驟S04：采用傳統(tǒng)沉積工藝方法生長第二柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的生長方法，其特征在于，步驟S03中，所述選擇性沉積工藝使用的氣體原料包括SiH₂Cl₂和HCl，溫度為600～700℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的生長方法，其特征在于，步驟S02中，所述淺溝槽隔離區(qū)的深度為2000～3000埃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的生長方法，其特征在于，步驟S02中，所述柵極氧化層的厚度為15～25埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的生長方法，其特征在于，步驟S02中，所述臺階的高度為50～150埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的生長方法，其特征在于，步驟S03中，所述第一柵極的厚度為100～200埃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的生長方法，其特征在于，步驟S04中，所述第二柵極的厚度為400～600埃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的生長方法，其特征在于，步驟S02中，采用化學(xué)氣相沉積法填充所述二氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的生長方法，其特征在于，步驟S04中，所述傳統(tǒng)沉積工藝為高溫化學(xué)氣相沉積法，所使用的氣體包括SiH₄，溫度為500～700℃。