[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611076310.7
• 申請(qǐng)日: 2016-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN108122822B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣會(huì)賓;莫福成;張世謀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底表面自下至上依次形成第一多晶硅層及第一介質(zhì)層；刻蝕所述第一介質(zhì)層及第一多晶硅層，形成暴露出所述半導(dǎo)體襯底的溝槽；在所述溝槽中形成填充結(jié)構(gòu)；在所述第一介質(zhì)層及所述填充結(jié)構(gòu)上形成第二多晶硅；刻蝕所述第二多晶硅層，暴露出所述填充結(jié)構(gòu)及所述填充結(jié)構(gòu)周圍的部分所述第一介質(zhì)層；去除所述填充結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中，避免刻蝕第二多晶硅層過程中形成殘留，防止第一多晶硅層與第二多晶硅層短接，改善器件性能，提高良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的制備方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸不斷減小。因此現(xiàn)有技術(shù)中已采用雙層多晶硅制備的互連器件，使得器件的面積不斷減小。

現(xiàn)有的雙層多晶硅工藝中，在襯底上形成第一多晶硅層，并刻蝕第一多晶硅層形成溝槽，之后，在襯底表面形成第二多晶硅層，將溝槽中的第二多晶硅層去除。然而，由于第二多晶硅在溝槽出形成臺(tái)階，使得在去除溝槽中的第二多晶硅時(shí)，溝槽中形成第二多晶硅的殘留。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供的半導(dǎo)體器件的制備方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中第二多晶硅層形成殘留的技術(shù)問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底表面自下至上依次形成第一多晶硅層及第一介質(zhì)層；

刻蝕所述第一介質(zhì)層及第一多晶硅層，形成暴露出所述半導(dǎo)體襯底的溝槽；

在所述溝槽中形成填充結(jié)構(gòu)；

在所述第一介質(zhì)層及所述填充結(jié)構(gòu)上形成第二多晶硅；

刻蝕所述第二多晶硅層，暴露出所述填充結(jié)構(gòu)及所述填充結(jié)構(gòu)周圍的部分所述第一介質(zhì)層；

去除所述填充結(jié)構(gòu)。

可選的，形成所述填充結(jié)構(gòu)的步驟包括：

形成一填充層，所述填充層完全填充所述溝槽，并覆蓋所述第一介質(zhì)層；

化學(xué)機(jī)械研磨所述填充層，去除所述第一介質(zhì)層上的所述填充層，形成所述填充結(jié)構(gòu)，且所述填充結(jié)構(gòu)與所述第一介質(zhì)層之間形成平坦的表面。

可選的，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述填充層，所述填充層的材料為二氧化硅。

可選的，所述第一多晶硅層的厚度為

可選的，所述第一介質(zhì)層包括自下至上依次層疊的一氧化硅層和一氮化硅層。

可選的，所述氧化硅層的厚度為所述氮化硅層的厚度為

可選的，所述覆蓋層的材料為硅化鎢。

可選的，所述覆蓋層的厚度為

可選的，所述第二多晶硅層的厚度為

可選的，所述第二介質(zhì)層的材料為正硅酸乙酯，所述第二介質(zhì)層的厚度為

可選的，還包括：自下而上依次在所述第一介質(zhì)層與所述第二多晶硅層之間形成第二介質(zhì)層和覆蓋層。

可選的，刻蝕所述第二介質(zhì)層、所述覆蓋層及所述第二多晶硅層的步驟包括：

形成第一圖案化的光阻，所述第一圖案化的光阻覆蓋部分所述第二介質(zhì)層；

以所述第一圖案化的光阻為掩膜，采用等離子體刻蝕工藝刻蝕所述第二介質(zhì)層、所述覆蓋層及所述第二多晶硅層，暴露出所述填充結(jié)構(gòu)及所述填充結(jié)構(gòu)周圍的部分所述第一介質(zhì)層。

可選的，去除所述填充結(jié)構(gòu)的步驟包括：