[發明專利]半導體器件的制備方法

有效

• 申請號: 201611076310.7
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN108122822B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 蔣會賓;莫福成;張世謀
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底表面自下至上依次形成第一多晶硅層及第一介質層；

刻蝕所述第一介質層及第一多晶硅層，形成暴露出所述半導體襯底的溝槽；

在所述溝槽中形成填充結構；

在所述第一介質層及所述填充結構上形成第二多晶硅；

刻蝕所述第二多晶硅層，暴露出所述填充結構及所述填充結構周圍的部分所述第一介質層；

去除所述填充結構。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成所述填充結構的步驟包括：

形成一填充層，所述填充層完全填充所述溝槽，并覆蓋所述第一介質層；

化學機械研磨所述填充層，去除所述第一介質層上的所述填充層，形成所述填充結構，且所述填充結構與所述第一介質層之間形成平坦的表面。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝形成所述填充層，所述填充層的材料為二氧化硅。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一多晶硅層的厚度為

5.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一介質層包括自下至上依次層疊的一氧化硅層和一氮化硅層。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述氧化硅層的厚度為所述氮化硅層的厚度為

7.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第二多晶硅層的厚度為

8.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括：自下而上依次在所述第一介質層與所述第二多晶硅層之間形成第二介質層和覆蓋層。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述覆蓋層的材料為硅化鎢。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述覆蓋層的厚度為

11.如權利要求8所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第二介質層的材料為正硅酸乙酯，所述第二介質層的厚度為

12.如權利要求8所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，刻蝕所述第二介質層、所述覆蓋層及所述第二多晶硅層的步驟包括：

形成第一圖案化的光阻，所述第一圖案化的光阻覆蓋部分所述第二介質層；

以所述第一圖案化的光阻為掩膜，采用等離子體刻蝕工藝刻蝕所述第二介質層、所述覆蓋層及所述第二多晶硅層，暴露出所述填充結構及所述填充結構周圍的部分所述第一介質層。

13.如權利要求12所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，去除所述填充結構的步驟包括：

形成第二圖案化的光阻，所述第二圖案化的光阻覆蓋暴露出的所述第一介質層；

以所述第二圖案化的光阻為掩膜，采用等離子體刻蝕工藝去除所述填充結構。

14.如權利要求13所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括：去除所述第一圖案化的光阻及所述第二圖案化的光阻。