[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611074839.5
• 申請(qǐng)日: 2016-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107039381B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林俊成;余振華;盧思維;齊彥堯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括襯底。半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括位于襯底上方的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方的多個(gè)第一金屬氧化物纖維。半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括位于襯底上方并且覆蓋導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和多個(gè)第一金屬氧化物纖維的介電層。介電層填充多個(gè)第一金屬氧化物纖維之間的間隙。本發(fā)明還提供了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例一般地涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件用于諸如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其它電子設(shè)備的各種電子應(yīng)用中。通常通過(guò)以下步驟來(lái)制造半導(dǎo)體器件：在半導(dǎo)體襯底上方相繼沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層；以及使用光刻來(lái)圖案化該多個(gè)材料層，以形成電路組件和元件。

用于半導(dǎo)體器件中的提高性能的一個(gè)重要的驅(qū)動(dòng)力是電路的更高的集成度。這通過(guò)使給定芯片上的器件尺寸微型化或縮小來(lái)實(shí)現(xiàn)。公差在能夠縮小芯片的尺寸上起著重要作用。

然而，雖然用于形成半導(dǎo)體器件的現(xiàn)有的制造工藝對(duì)于它們的預(yù)期目的通常已經(jīng)足夠，但是隨著器件持續(xù)按比例縮小，它們不能在所有方面都已完全令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：襯底；導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上方；多個(gè)第一金屬氧化物纖維，位于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方；以及介電層，位于所述襯底上方并且覆蓋所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第一金屬氧化物纖維，其中，所述介電層填充所述多個(gè)第一金屬氧化物纖維之間的間隙。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：襯底；第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上方；金屬氧化物層，位于所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方；多個(gè)第一金屬氧化物纖維，連接至所述金屬氧化物層，其中，所述多個(gè)第一金屬氧化物纖維和所述金屬氧化物層由相同的材料制成；以及介電層，位于所述襯底上方并且覆蓋所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述金屬氧化物層和所述多個(gè)第一金屬氧化物纖維。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：在襯底上方形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；在所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方形成多個(gè)第一金屬氧化物纖維；以及在所述襯底上方形成介電層以覆蓋所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第一金屬氧化物纖維，其中，所述介電層填充所述所述第一金屬氧化物纖維之間的間隙。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件沒(méi)有被按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意地增加或減少。

圖1A至圖1H是根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的工藝的各個(gè)階段的截面圖。

圖2A至圖2F是根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的工藝的各個(gè)階段的截面圖。

圖3A至圖3O是根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的工藝的各個(gè)階段的截面圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)內(nèi)容提供了多種不同實(shí)施例或?qū)嵗糜趯?shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征。以下將描述組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且不意欲限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。而且，本發(fā)明在各個(gè)實(shí)例中可以重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)僅是為了簡(jiǎn)明和清楚，其自身并不表示所論述的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。