[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611074839.5
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN107039381B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林俊成;余振華;盧思維;齊彥堯
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：

襯底；

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上方；

多個第一金屬氧化物纖維，位于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方；以及

介電層，位于所述襯底上方并且覆蓋所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述多個第一金屬氧化物纖維，其中，所述介電層填充所述多個第一金屬氧化物纖維之間的間隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括金屬材料，并且所述多個第一金屬氧化物纖維由所述金屬材料的氧化物制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述多個第一金屬氧化物纖維包括氧化銅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述多個第一金屬氧化物纖維與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述介電層直接接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述介電層包括聚合物材料或氧化物材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括至少一個布線層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述介電層具有暴露所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一部分的貫通孔，并且所述半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)還包括：

導(dǎo)電層，位于所述介電層上方并且延伸至所述貫通孔中以與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接；以及

多個第二金屬氧化物纖維，位于所述導(dǎo)電層上方。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電層與所述導(dǎo)電層下方的介電層之間沒有金屬氧化物纖維。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，還包括：

接合焊盤，位于所述介電層上方并且電連接至所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；以及

導(dǎo)電凸塊，位于所述接合焊盤上方并且電連接至所述接合焊盤。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述多個第一金屬氧化物纖維中的每一個都具有連接至所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的端部。

11.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：

襯底；

第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上方；

金屬氧化物層，位于所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方；

多個第一金屬氧化物纖維，連接至所述金屬氧化物層，其中，所述多個第一金屬氧化物纖維和所述金屬氧化物層由相同的材料制成；以及

介電層，位于所述襯底上方并且覆蓋所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述金屬氧化物層和所述多個第一金屬氧化物纖維。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有頂面和側(cè)壁，并且所述金屬氧化物層和所述多個第一金屬氧化物纖維位于所述頂面和所述側(cè)壁上方。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，還包括：

模塑料層，圍繞所述襯底；

第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，穿過所述模塑料層；以及

多個第二金屬氧化物纖維，位于所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上方并且穿過所述模塑料層。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括金屬材料，并且所述多個第一金屬氧化物纖維和所述金屬氧化物層由所述金屬材料的氧化物制成。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一金屬氧化物纖維的一個端部連接至所述金屬氧化物層。

16.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在襯底上方形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

在所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方形成多個第一金屬氧化物纖維；以及

在所述襯底上方形成介電層以覆蓋所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述多個第一金屬氧化物纖維，其中，所述介電層填充所述所述第一金屬氧化物纖維之間的間隙。