[發明專利]制作層的方法和器件

有效

• 申請號: 201611073551.6
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN106816384B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: M·米希茲;M·海恩里希;B·艾興格;M·施內甘斯;S·克里維克
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 鄭立柱;董典紅<國際申請>=<國際公布>

本申請涉及制作層的方法和器件。提供一種制造電子器件的方法，所述方法包括：在襯底中形成至少一個電子組件；形成與所述至少一個電子組件電接觸的接觸焊盤；其中形成所述接觸焊盤包括：在所述襯底之上形成第一層；將所述第一層平坦化以形成所述第一層的平坦化表面；以及在所述平坦化表面之上形成第二層，其中所述第二層具有比所述第一層更低的孔隙度。

技術領域

多個實施例一般地涉及處理襯底的方法和器件。

背景技術

一般來說，半導體材料可以在半導體技術中被處理在襯底(也被稱作晶片或載體)上或襯底中，例如用來制造集成電路(也稱作芯片)。在半導體材料的處理期間，可以應用特定工藝，例如在襯底之上形成一個或更多個層、將所述一個或更多個層結構化或接觸芯片。一般來說，多孔銅層例如在厚電源金屬化領域中提供有益的機械特性。

與致密層(體銅)相比，多孔銅層可以施加較少的機械和/或熱應力給硅，且因此提供在晶片和芯片上制備厚銅層的可能性，而不引起晶片或芯片的彎曲、造成晶片或芯片的分層和/或引起晶片或芯片中的裂縫。

傳統上而言，通過改變制備參數例如源材料(顆粒尺寸或添加劑)或者處理參數(沉積參數、爐參數、退火參數)來調節多孔銅層的特性。這種調節強烈地受限于制備參數的范圍，且因此很窄。此外，這種調節在密封孔時失效，要求額外的工作且對使用的包含漿體的銅顆粒高度敏感，這減小了將這種調節適用于其他漿體成分的范圍。

備選地，可以通過在彼此之上印刷不同的包含漿體的銅顆粒或者金屬前體漿體，來形成兩層。這個工藝可以僅能夠調節多孔銅層的空間孔隙度、在密封孔時失效、要求額外的工作且對使用的包含漿體的銅顆粒的組合高度敏感。

備選地，多孔硅層可以通過金屬的電化學沉積或者無電化學來涂覆。這可以導致包括了使用的電解質、增加了雜質和污染的風險或其它后果，如降低的可靠性或對器件的損壞。

發明內容

一種制造電子器件的方法，所述方法包括：在襯底中形成至少一個電子組件；形成與所述至少一個電子組件電接觸的接觸焊盤。形成所述接觸焊盤包括：在所述襯底之上形成第一層；將所述第一層平坦化以形成所述第一層的平坦化表面；以及在所述平坦化表面之上形成第二層。所述第二層具有比所述第一層低的孔隙度。

附圖說明

在附圖中，相同的附圖標記貫徹不同的視圖通常表示相同的部件。附圖不必按比率繪制，而是通常重點在于說明本發明的原理。在以下描述中，參考附圖來描述本發明的多個實施例，在附圖中：

圖1A至1D分別通過示意性橫截面視圖或側視圖示出了在根據各種實施例的方法中、根據各種實施例的器件；

圖2A至2C分別通過示意性橫截面視圖或側視圖示出了在根據各種實施例的方法的處理階段中、根據各種實施例的器件；

圖3A至3D分別通過示意性橫截面視圖或側視圖示出了在根據各種實施例的方法的處理階段中、根據各種實施例的器件；

圖4A和4B分別通過示意性橫截面視圖或側視圖示出了在根據各種實施例的方法的處理階段中、根據各種實施例的器件；

圖5A和5B分別示出了根據各種實施例的示意圖；

圖6A和6B分別示出了根據各種實施例的示意圖；

圖7A至7C通過示意性橫截面視圖或側視圖分別示出了在根據各種實施例的方法的處理階段中、根據各種實施例的器件；

圖8A至8C通過示意性橫截面視圖或側視圖分別示出了在根據各種實施例的方法的處理階段中、根據各種實施例的器件；

圖9通過示意性流程圖示出了根據各種實施例的方法；

圖10A和10B通過示意性流程圖分別示出了根據各種實施例的方法；