[發明專利]制作層的方法和器件

有效

• 申請號: 201611073551.6
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN106816384B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: M·米希茲;M·海恩里希;B·艾興格;M·施內甘斯;S·克里維克
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 鄭立柱;董典紅<國際申請>=<國際公布>

1.一種制造電子器件的方法，所述方法包括：

在襯底中形成至少一個電子組件；

形成與所述至少一個電子組件電接觸的接觸焊盤；其中形成所述接觸焊盤包括：

在所述襯底之上形成第一層；

將所述第一層平坦化以形成所述第一層的平坦化表面；以及

在所述平坦化表面之上形成第二層，其中所述第二層具有比所述第一層更低的孔隙度。

2.根據權利要求1的方法，

其中，通過物理氣相沉積、印刷沉積和化學氣相沉積中的至少一種來形成所述第二層。

3.根據權利要求1的方法，

其中所述第一層和所述第二層包括相同的材料。

4.根據權利要求1的方法，

其中所述襯底或所述第二層中的至少一個的以下孔特性中的至少一個為零：

孔密度；

孔尺寸；以及

孔隙度。

5.根據權利要求1的方法，

其中通過在所述襯底之上沉積固體顆粒而形成所述第一層。

6.根據權利要求5的方法，

其中形成所述第一層包括燒結所述固體顆粒。

7.根據權利要求6的方法，

其中所述第一層在被燒結后被平坦化。

8.根據權利要求6的方法，

其中在燒結期間和在燒結之前中的至少一個，將所述第一層平坦化。

9.根據權利要求1的方法，

其中所述第一層的應力溫度梯度小于所述第二層和所述襯底中的至少一個的應力溫度梯度。

10.根據權利要求1的方法，

其中所述第一層的密度小于所述第二層和所述襯底中的至少一個的密度。

11.根據權利要求1的方法，

其中所述第二層的厚度是以下中的至少一個：大于所述第一層的空間孔尺寸的一半，和小于所述第一層的所述空間孔尺寸的兩倍。

12.根據權利要求1的方法，

其中在平坦化所述第一層之前和在平坦化所述第一層之后中的至少一個，所述第一層包括開孔表面。

13.根據權利要求1的方法，

其中所述第一層包括銅、銀和鎳中的至少一個。

14.根據權利要求1的方法，

其中平坦化所述第一層包括：在所述第一層的以下孔特性中的至少一個中形成梯度：

孔密度；

孔尺寸；以及

孔隙度。

15.根據權利要求1的方法，

其中平坦化所述第一層包括加工。

16.根據權利要求15的方法，

其中所述加工包括以下中的至少一個：機械拋光、電化學拋光和化學機械拋光。

17.根據權利要求1的方法，還包括：

在所述接觸焊盤之上形成焊接結點和接合結點中的至少一個，用于電接觸所述接觸焊盤。

18.根據權利要求1的方法，

其中平坦化所述第一層減小所述第一層的粗糙度。

19.根據權利要求1的方法，

其中平坦化所述第一層包括與遠離所述襯底相比，靠近所述襯底的所述第一層的孔特性形成為更大。