[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201611072838.7 | 申請日: | 2016-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN108122926B | 公開(公告)日: | 2023-09-22 |
| 發明(設計)人: | 高吉磊;孫靜;劉金良;羅鴻強;劉祖文 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 初媛媛;陳嵐 |
| 地址: | 230011 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明提供了一種陣列基板、包括陣列基板的顯示面板和顯示裝置,以及陣列基板的制作方法。所述陣列基板包括顯示區、設置在顯示區中的多個第一晶體管、設置在顯示區外圍的非顯示區以及設置在非顯示區中的多個第二晶體管,其中相比于第一晶體管,第二晶體管的有源層的厚度更小。
技術領域
本發明一般地涉及顯示技術領域,并且更特別地涉及一種陣列基板、包括陣列基板的顯示面板和顯示裝置,以及陣列基板的制作方法。
背景技術
在包括薄膜晶體管(TFT)陣列基板的顯示面板中,靜電放電(Electro-StaticDischarge,ESD)現象會對TFT陣列基板的內部結構造成破壞。特別地,靜電放電容易擊穿TFT的溝道區域,導致TFT損壞,從而影響顯示面板的正常顯示。
現有技術提出通過在陣列基板中形成短路環來解決顯示面板中的靜電放電問題。然而,在陣列基板的整個制作過程中,短路環通常在形成TFT的溝道區域之后形成。不幸的是,在未形成短路環之前并且在形成溝道區域之后,經常會由于工藝等因素而產生電荷積聚,從而產生瞬間的大電流。這樣的大電流將造成陣列基板的不同金屬層之間的絕緣層和TFT的溝道區域被擊穿,進而影響產品良率。
因此,在本領域中存在對一種改進的陣列基板和顯示面板的需要。
發明內容
本發明的一個目的是提供一種陣列基板、包括陣列基板的顯示面板和顯示裝置,以及陣列基板的制作方法,其能夠至少部分地緩解或消除以上提到的現有技術中的問題中的一個或多個。
根據本發明的一個方面,提供了一種陣列基板。該陣列基板包括顯示區、設置在顯示區中的多個第一晶體管、設置在顯示區外圍的非顯示區以及設置在非顯示區中的多個第二晶體管。特別地,多個第二晶體管的有源層的厚度小于多個第一晶體管的有源層的厚度。
在本發明所提供的陣列基板中,由于第二晶體管的有源層的厚度小于第一晶體管的有源層的厚度,因此如果存在電荷積聚,則所產生的靜電放電將優先發生在非顯示區中,而設置在顯示區中的第一晶體管則不受靜電放電影響。因此,產品的抗ESD能力和產品的良率得以改進。
在一些實施例中,顯示區還包括交叉設置的多條柵線和多條數據線。每一個第一晶體管設置在每一個柵線與數據線的交叉處,并且每一個第一晶體管的控制極連接到對應的柵線,每一個第一晶體管的第一極連接到對應的數據線。
在一些實施例中,第一晶體管的第一極為第一晶體管的源極或漏極。例如,當第一晶體管為N型晶體管時,第一晶體管的第一極為漏極。此外,第一晶體管的第二極(在N型晶體管的情況下,源極)連接到相應的發光單元,以便為發光單元提供驅動信號。
在一些實施例中,多條數據線延伸到非顯示區,并且非顯示區還包括與顯示區中的多條柵線平行的一條或多條第一輔助線。多條數據線與第一輔助線交叉,每一個第二晶體管設置在每一個數據線與第一輔助線的交叉處,并且每一個第二晶體管的控制極連接到對應的第一輔助線,每一個第二晶體管的第一極連接到對應的數據線。
在這樣的實施例中,第一晶體管和第二晶體管共用數據線。當陣列基板上由于電荷積聚而發生靜電放電時,所產生的大電流將流向第二晶體管,使第二晶體管被擊穿而保護第一晶體管不受影響,從而保證顯示面板的正常工作。
在一些實施例中,多條柵線延伸到非顯示區,并且非顯示區還包括與顯示區中的多條數據線平行的一條或多條第二輔助線。多條柵線與第二輔助線交叉,每一個第二晶體管設置在每一個柵線與第二輔助線的交叉處,并且每一個第二晶體管的控制極連接到對應的柵線,每一個第二晶體管的第一極連接到對應的第二輔助線。
在這樣的實施例中,第一晶體管和第二晶體管共用柵線。同樣地,當陣列基板上由于電荷積聚而發生靜電放電時,所產生的大電流將流向第二晶體管,使第二晶體管被擊穿而保護第一晶體管不受影響,從而保證顯示面板的正常工作。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司,未經合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611072838.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:三維半導體存儲器件
- 下一篇:薄膜晶體管及其制造方法、顯示面板及顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





