[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201611072838.7
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN108122926B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 高吉磊;孫靜;劉金良;羅鴻強;劉祖文
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 初媛媛;陳嵐

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區、設置在顯示區中的多個第一晶體管、位于顯示區外圍的非顯示區以及設置在非顯示區中的多個第二晶體管，所述方法包括：

依次形成半導體層、源漏金屬層以及光致抗蝕劑；

對要形成第一晶體管和第二晶體管的溝道的區域中的光致抗蝕劑進行曝光，使得要形成第一晶體管的溝道的區域中的光致抗蝕劑的曝光程度小于要形成第二晶體管的溝道的區域中的光致抗蝕劑的曝光程度；

對光致抗蝕劑進行顯影；

分別蝕刻掉要形成第一晶體管和第二晶體管的溝道的區域處的源漏金屬層和部分的半導體層以分別形成第一晶體管和第二晶體管的有源層；以及

去除光致抗蝕劑，

其中，形成的第二晶體管的有源層的厚度小于第一晶體管的有源層的厚度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在對要形成第一晶體管和第二晶體管的溝道的區域中的光致抗蝕劑進行曝光包括：

對要形成第一晶體管和第二晶體管的溝道的區域中的光致抗蝕劑進行部分曝光；以及

對要形成第一晶體管和第二晶體管之間的區域的光致抗蝕劑進行全曝光。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，分別蝕刻掉要形成第一晶體管和第二晶體管的溝道的區域處的源漏金屬層和部分的半導體層以分別形成第一晶體管和第二晶體管的有源層包括：

對光致抗蝕劑進行灰化處理直到在要形成第二晶體管的溝道的區域處暴露出源漏金屬層；

蝕刻掉暴露出的源漏金屬層并且蝕刻掉部分的半導體層以形成第二晶體管的有源層；

在形成第二晶體管的有源層之后對光致抗蝕劑進行灰化處理直到在要形成第一晶體管的溝道的區域中暴露出源漏金屬層；以及

蝕刻掉暴露出的源漏金屬層并且蝕刻掉部分的半導體層以形成第一晶體管的有源層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對要形成第一晶體管和第二晶體管的溝道的區域的光致抗蝕劑進行曝光包括，對要形成第一晶體管溝道的區域的光致抗蝕劑進行1/3曝光，并且對要形成第二晶體管的溝道的區域的光致抗蝕劑進行2/3曝光。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括蝕刻掉要形成第一晶體管和第二晶體管之間的區域中的源漏金屬層和半導體層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在去除光致抗蝕劑之后的陣列基板上形成靜電放電短路環。