[發(fā)明專利]一種掩膜板、掩膜板組件及顯示面板

在審

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• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN106597802A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設計）人: 陳永勝
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

技術領域

本發(fā)明涉及顯示面板技術領域，特別是涉及一種掩膜板、掩膜板組件及顯示面板。

背景技術

目前，市場上對顯示面板的分辨率要求越來越高，屏幕解析度(即像素密度)的發(fā)展趨勢將超過700ppi(pixel per inch)。制作高ppi顯示面板的技術關鍵在于精細及機械穩(wěn)定性好的高精細金屬掩膜板，而高精細金屬掩膜板的關鍵在于像素及子像素的排布方式。

目前，像素的排列方式常采用RGB排列或者S-tripe方式。當屏幕解析度在300ppi以上時，RGB排列或者S-tripe方式排列所用的掩膜板的開口及開口之間間隔均非常細小，致使掩膜板加工難度增大、對位精度降低、易變形等，從而降低了顯示面板的解析度。為解決該問題，韓國三星公司率先提出了Pentile像素排列方式，但該方式存在圖像串擾加重、莫爾效應明顯、斜線鋸齒惡化及需要特別的驅動方法等問題；甚至，也有公司提出了改變高精細金屬掩膜板的制備方式，但目前在量產(chǎn)上還沒有實際應用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種掩膜板、掩膜板組件及顯示面板，能夠使掩膜板的制作良率增加以及顯示面板的解析度增加。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是：提供一種掩膜板，包括平板本體，所述平板本體上設有開口，所述開口用于形成相鄰主像素中相鄰的同類子像素；其中，所述主像素包括三種相互分離的子像素，并且至少包括兩個同類的子像素。

其中，所述主像素中偶數(shù)行的每個主像素由奇數(shù)行每個主像素垂直翻轉180°形成；所述主像素中偶數(shù)列的每個主像素由奇數(shù)列每個主像素水平翻轉180°形成。

其中，所述掩膜板的開口數(shù)量有多個，且沿行和列方向依次排列，每個所述開口供上下左右相鄰的四個所述主像素的四個同類子像素共用，且所有開口對應的子像素種類相同。若相鄰的所述開口對應的是相鄰的所述子像素，則相鄰所述開口連通為一體。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的另一個技術方案是：提供一種一種掩膜板組件，包括，至少兩個掩膜板，每個所述掩膜板包括平板本體，所述平板本體上設有開口，所述開口用于形成相鄰主像素中相鄰的同類子像素；其中，所述主像素包括三種相互分離的子像素，并且至少包括兩個同類的子像素，每個所述掩膜板用于制造的子像素不同類。

其中，所述主像素中偶數(shù)行的每個主像素由奇數(shù)行每個主像素垂直翻轉180°形成；所述主像素中偶數(shù)列的每個主像素由奇數(shù)列每個主像素水平翻轉180°形成。

其中，所述掩膜板的所述開口數(shù)量有多個，且沿行和列方向依次排列，每個所述開口供上下左右相鄰的四個所述主像素的四個同類子像素共用，且所有開口對應的子像素種類相同。若相鄰的所述開口對應的是相鄰的所述子像素，則相鄰所述開口連通為一體。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的又一個技術方案是：提供一種一種顯示面板，包括多個主像素，所述主像素包括三種相互分離的子像素，并且至少包括兩個同類的子像素；其中，相鄰所述主像素中相鄰的子像素是同類子像素，且由掩膜板中同一個開口形成。

其中，所述主像素中偶數(shù)行的每個主像素由奇數(shù)行每個主像素垂直翻轉180°形成；所述主像素中偶數(shù)列的每個主像素由奇數(shù)列每個主像素水平翻轉180°形成。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術的情況，本發(fā)明使上下左右相鄰的四個主像素的四個同類子像素共用一個掩膜板開口，在相同解析度的情況下，掩膜板開口及開口之間間隔的尺寸均增大，提高了掩膜板的制作良率；另一方面，在掩膜板開口與開口之間間隔的尺寸與現(xiàn)有技術相當?shù)那闆r下，本發(fā)明所采用的技術方案可以提高顯示面板的解析度。

附圖說明

圖1是本發(fā)明掩膜板一實施方式的結構示意圖；

圖2是主像素的一實施方式的結構示意圖；

圖3是上下左右相鄰的四個主像素的一實施方式的結構示意圖；

圖4是上下左右相鄰的四個主像素的另一實施方式的結構示意圖；

圖5是圖4中同類子畫素的開口的一實施方式的結構示意圖；

圖6是主像素組的一實施方式結構示意圖；

圖7a是用于制作圖6中藍色子畫素的掩膜板的一實施方式的結構示意圖；

圖7b是用于制作圖6中綠色子畫素的掩膜板的一實施方式的結構示意圖；

圖7c是用于制作圖6中紅色子畫素的掩膜板的一實施方式的結構示意圖；

圖8是主像素組的又一實施方式結構示意圖；

圖9a是用于制作圖8中綠色子畫素的掩膜板的一實施方式的結構示意圖；