[發明專利]用于電子組件的圖案結構及其制造方法在審
| 申請號： | 201611069060.4 | 申請日： | 2016-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN108122731A | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發明（設計）人： | 朱彥瑞;周信宏;蔡明志 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖案層 阻擋結構 圖案結構 懸臂結構 基底 電子組件 連接結構 階梯覆蓋性 配置 制造 | ||
1.一種圖案結構，用于電子組件，其特征在于，所述圖案結構包括：
圖案層，配置于基底上；
阻擋結構，配置于所述圖案層的一側的所述基底上，其中所述阻擋結構的厚度小于所述圖案層的厚度；
懸臂結構，連接于所述圖案層與所述阻擋結構之間；以及
連接結構，連接于所述圖案層與其一側的所述基底之間，且位于所述懸臂結構與所述阻擋結構上。
2.根據權利要求1所述的圖案結構，其特征在于，所述圖案層的厚度大于200nm。
3.根據權利要求1所述的圖案結構，其特征在于，所述阻擋結構的厚度與所述圖案層的厚度的比例范圍在1：2至3：20之間。
4.根據權利要求1所述的圖案結構，其特征在于，所述阻擋結構與所述圖案層之間的間距與所述圖案層的厚度的比例范圍在3：5至7：4之間。
5.根據權利要求1所述的圖案結構，其特征在于，所述阻擋結構環繞所述圖案層。
6.根據權利要求1所述的圖案結構，其特征在于，所述懸臂結構的頂面為斜面，其較高的一側連接于所述圖案層而其較低的一側連接于所述阻擋結構。
7.根據權利要求1所述的圖案結構，其特征在于，所述懸臂結構的材料不同于所述阻擋結構的材料。
8.根據權利要求1所述的圖案結構，其特征在于，所述連接結構的材料包括導體材料以及絕緣材料。
9.一種圖案結構，用于電子組件，其特征在于，所述圖案結構包括：
圖案層，配置于基底上；
阻擋結構，配置于所述圖案層的一側的所述基底上，其中所述阻擋結構的厚度小于所述圖案層的厚度；
懸臂結構，連接于所述圖案層與所述阻擋結構之間；以及
連接結構，配置于所述圖案層、所述懸臂結構與所述阻擋結構上，其中所述阻擋結構的材料與所述連接結構的材料均包括導體材料。
10.一種圖案結構的制造方法，用于電子組件，其特征在于，所述圖案結構的制造方法包括：
于基底上形成圖案層；
形成阻擋結構，所述阻擋結構經形成于所述圖案層的一側的所述基底上，其中所述阻擋結構的厚度小于所述圖案層的厚度；
形成懸臂結構，所述懸臂結構經形成以連接于所述圖案層與所述阻擋結構之間；以及
形成連接結構，所述連接結構經形成以連接于所述圖案層與其一側的所述基底之間，且經形成于所述懸臂結構與所述阻擋結構上。
11.根據權利要求10所述的圖案結構的制造方法，其特征在于，形成所述阻擋結構、所述懸臂結構以及所述連接結構的方法包括噴墨打印。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
