[發(fā)明專利]用于先進光刻的薄膜組件和方法

有效

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• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN107015431B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳炫辰;林云躍;連大成;李信昌;林志誠;陳政宏
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/62
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發(fā)明根據(jù)一些實施例提供了一種用于半導(dǎo)體光刻工藝的裝置。該裝置包括具有導(dǎo)熱表面的薄膜；多孔薄膜框架；以及將薄膜固定至多孔薄膜框架的導(dǎo)熱粘合層。多孔薄膜框架包括從多孔薄膜框架的外表面連續(xù)延伸至多孔薄膜框架的內(nèi)表面的多個孔道。本發(fā)明的實施例還涉及用于先進光刻的薄膜組件和方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施例涉及用于先進光刻的薄膜組件和方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)中，IC材料和設(shè)計的技術(shù)進步已經(jīng)產(chǎn)生了多代IC，其中，每一代都具有比前一代更小且更復(fù)雜的電路。在IC演進的過程中，功能密度(即，每一芯片面積上互連器件的數(shù)量)已普遍增加，而幾何尺寸(即，使用制造工藝可產(chǎn)生的最小組件或線)有所降低。這種按比例縮小工藝通常通過增加產(chǎn)量效率和降低相關(guān)成本來提供很多益處。這樣的按比例縮小還增大了處理和制造IC的復(fù)雜程度。

光刻工藝形成了用于各種圖案化工藝的圖案化的光刻膠層，諸如，蝕刻或離子注入。可通過這樣的光刻工藝圖案化的最小部件尺寸受到投射的輻射源的波長的限制。光刻機器已經(jīng)經(jīng)歷了從使用具有365納米的波長的紫外光至使用包括248納米的氟化氪激光(KrF激光)和193納米的氟化氬激光(ArF激光)的深紫外(DUV)光，以及至使用波長為13.5納米的遠(yuǎn)紫外(EUV)光，在各個階段提高了分辨率。

在光刻工藝中，使用了光掩模(或掩模)。掩模包括襯底和限定在光刻工藝期間將被轉(zhuǎn)印至半導(dǎo)體襯底的集成電路的圖案化的層。該掩模通常包括有薄膜組件，共同稱為掩模系統(tǒng)。薄膜組件包括透明薄膜和薄膜框架，其中，該膜安裝在薄膜框架上方。薄膜保護掩模免受掉落的顆粒的影響且保持顆粒遠(yuǎn)離焦點，從而它們不產(chǎn)生圖案化的圖像，這在使用掩模時可能造成缺陷。膜通常被拉伸且安裝在薄膜框架上方，且通過膠或其它粘合劑附接至薄膜框架。可以通過掩模、膜以及薄膜框架形成內(nèi)部空間。平衡內(nèi)部壓力和外部壓力之間的壓力差中的缺陷可造成膜變得扭曲、起皺、折斷、或其它損壞，從而導(dǎo)致掩模薄膜系統(tǒng)無法使用。因此，用于制造掩模薄膜系統(tǒng)的現(xiàn)有的技術(shù)尚未證明在各個方面都是完全令人滿意的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供了一種用于半導(dǎo)體光刻工藝的裝置，包括：薄膜，具有導(dǎo)熱表面；多孔薄膜框架，其中，所述多孔薄膜框架包括從所述多孔薄膜框架的外表面連續(xù)延伸至所述多孔薄膜框架的內(nèi)表面的多個孔道；以及導(dǎo)熱粘合層，將所述薄膜固定至所述多孔薄膜框架。

本發(fā)明的另一實施例提供了一種用于制造用于光刻工藝的薄膜組件的方法，包括：制造具有可調(diào)節(jié)孔尺寸的多孔薄膜框架；形成具有導(dǎo)熱表面的薄膜；以及使用導(dǎo)熱粘合材料，將所述薄膜附接至所述薄膜框架，從而由所述薄膜框架懸置所述薄膜。

本發(fā)明的又一實施例提供了一種用于光刻工藝的方法，包括：提供薄膜裝置，其中，所述薄膜裝置包括具有導(dǎo)熱表面的膜和多孔薄膜框架，所述薄膜框架通過導(dǎo)熱粘合材料固定橫跨所述薄膜框架的所述膜；將所述薄膜裝置安裝至掩模上，其中，所述掩模包括圖案化的表面；將具有安裝在所述掩模上的所述薄膜裝置的所述掩模加載至光刻系統(tǒng)且將半導(dǎo)體晶圓加載至所述光刻系統(tǒng)的襯底工作臺上；以及實施光刻曝光工藝以將所述圖案化的表面的圖案從所述掩模轉(zhuǎn)印至所述半導(dǎo)體晶圓。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進行閱讀時，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的實施例。應(yīng)該強調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，對各種部件沒有按比例繪制并且僅僅用于說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。

圖1是根據(jù)一些實施例的光刻系統(tǒng)的示意圖。

圖2是根據(jù)一些實施例的掩模的截面圖。

圖3A、圖3B和圖3C分別是根據(jù)一些實施例的掩模薄膜系統(tǒng)的頂視圖、立體圖和沿著線A-A’的截面圖。

圖4是根據(jù)一些實施例的薄膜的截面圖。

圖5是根據(jù)一些實施例的薄膜框架的局部截面圖。