[發明專利]用于先進光刻的薄膜組件和方法

有效

• 申請號: 201611063636.6
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN107015431B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 陳炫辰;林云躍;連大成;李信昌;林志誠;陳政宏
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/62
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種用于半導體光刻工藝的裝置，包括：

薄膜，具有導熱表面；

多孔薄膜框架，其中，所述多孔薄膜框架包括從所述多孔薄膜框架的外表面連續延伸至所述多孔薄膜框架的內表面的多個孔道，所述多孔薄膜框架包括選自由金屬、合金和陶瓷材料構成的組的多孔材料，其中，所述多孔材料包括選自由BN、BC以及它們的組合構成的組的材料；以及

導熱粘合層，將所述薄膜固定至所述多孔薄膜框架，其中，所述導熱粘合層包括粘合組分和在所述粘合組分中分散的導熱顆粒，在所述導熱粘合層中導熱顆粒填充率從0.1％至74％，所述導熱顆粒呈伸長的形狀且沿著所述導熱粘合層的厚度方向對準。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述多個孔道被隨機地配置：

所述多個孔道的每個孔道從所述多孔薄膜框架的所述外表面上的第一開口延伸至所述多孔薄膜框架的所述內表面上的第二開口；以及

所述多個孔道的所述每個孔道從所述外表面至所述內表面具有隨機變化的直徑。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述薄膜包括多晶硅，非晶硅，摻雜硅或硅基化合物的透明層。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中，所述薄膜進一步包括在所述透明層上方的第一覆蓋層和在所述第一覆蓋層上方的第一導熱層，其中所述第一導熱層和所述第一覆蓋層具有不同的材料。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述多孔薄膜框架是由選自由液相燒結、固相燒結、蒸發燒結和它們的組合構成的組的技術制造的。

6.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

掩模，包括圖案化的表面；以及

另一導熱粘合層，將所述掩模固定至所述多孔薄膜框架，其中，所述薄膜框架安裝在所述掩模上，并且其中，所述薄膜遠離所述圖案化的表面懸置相隔距離，以及其中，內部空間由所述薄膜的底面、所述掩模的頂面以及所述薄膜框架的所述內表面限定。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中，具有可調節的孔尺寸的所述多個孔道被調節以防止顆粒進入所述內部空間，且其中，所述多個孔道被配置為在所述內部空間和圍繞所述裝置的空間之間提供壓力均衡。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述裝置用于遠紫外光刻系統且在光刻曝光工藝期間保持在真空環境中。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述薄膜包括：

選自包括pSi、a-Si、SiCN、和SiP石墨烯構成的組的材料的低透射率材料層；以及

在所述低透射率材料層上設置的導熱材料層，其中，所述導熱材料層包括選自由Ru、Ir、碳基材料、Cu、Ni、Fe和它們的組合構成的組的材料。

10.根據權利要求9所述的裝置，其中，所述碳基材料包括石墨、石墨烯、金剛石和納米管中的一種。

11.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述導熱粘合層包括在粘合聚合物中設置的導熱填充物。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中，所述導熱填充物包括金屬、金屬合金、導熱陶瓷材料、導熱聚合物和導熱化合物中的一種。

13.根據權利要求11所述的裝置，其中，所述導熱填充物包括Al、Ag、AlO、AlN、BN、碳、Be、B₄C、SiC和它們的混合材料中的一種。

14.根據權利要求13所述的裝置，其中，所述碳為石墨烯、納米管或石墨片。

15.根據權利要求11所述的裝置，其中，所述粘合聚合物包括苯乙烯乙烯/丁烯苯乙烯橡膠、聚酯類熱塑性彈性體、聚醚氨酯、聚烯烴型熱塑性彈性體或熱塑性硫化橡膠中的一種。