[發明專利]一種單面涂覆熱熔膠鍍鋁屏蔽織物的制備方法有效
| 申請號: | 201611063550.3 | 申請日: | 2016-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN106758174B | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發明(設計)人: | 楊志全;曾海軍;張新民 | 申請(專利權)人: | 菏澤天源電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | D06M11/83 | 分類號: | D06M11/83;C23C14/35;C23C14/20;C09J7/21 |
| 代理公司: | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人: | 張貴賓 |
| 地址: | 274700 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱熔膠 單面涂覆 磁控濺射鍍膜設備 屏蔽織物 室內 鍍鋁 基材 制備 平面式磁控濺射靶 矩形平面磁控靶 圓柱形磁控靶 褶皺 表面金屬層 沉積金屬層 熱熔膠涂布 氬氣 表面涂覆 金屬涂層 成品率 鋁靶材 涂布線 靶源 放卷 負壓 刮痕 濺射 涂覆 加工 | ||
1.一種單面涂覆熱熔膠鍍鋁屏蔽織物的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
(1)將基材在涂布線上放卷經過無刮痕熱熔膠涂布頭,單面涂覆一層熱熔膠,涂布克重10-20g/m2,涂布速度250-350m/min;
(2)將涂覆有熱熔膠的基材放置在真空室內,真空室內抽至負壓,然后向真空室內通入氬氣,采用磁控濺射鍍膜設備濺射鋁靶材,濺射區兩極之間的電壓為300-500V,直流電流為5-8A,濺射時間為1-1.5min;所述磁控濺射鍍膜設備的靶源采用矩形平面磁控靶和同軸圓柱形磁控靶結合,構成圓柱形、平面式磁控濺射靶;鍍膜前后的收卷和放卷部位安裝了可在鍍膜機外實現轉角控制的分段展平輥;所述鍍膜前后的收卷和放卷側安裝有張力傳感器和控制器。
2.根據權利要求1所述的一種單面涂覆熱熔膠鍍鋁屏蔽織物的制備方法,其特征在于:所述基材為厚度0.015-0.02mm的白色滌綸布。
3.根據權利要求1或2所述的一種單面涂覆熱熔膠鍍鋁屏蔽織物的制備方法,其特征在于:所述基材涂布克重為15 g/m2,涂布速度為300 m/min。
4.根據權利要求1所述的一種單面涂覆熱熔膠鍍鋁屏蔽織物的制備方法,其特征在于:步驟(2)中真空室內抽至負壓為(1-10)×10-3Pa,通入氬氣后的工作真空為(1-2)×10-1Pa。
5.根據權利要求1所述的一種單面涂覆熱熔膠鍍鋁屏蔽織物的制備方法,其特征在于:鍍膜時采用冷輥對基材進行依附降溫冷卻和恒速控制。
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D06M 對纖維、紗、線、織物、羽毛或由這些材料制成的纖維制品進行D06類內其他類目所不包括的處理
D06M11-00 用無機物或其配合物處理纖維、紗、線、織物或這些材料制成的纖維制品;和機械處理相結合的處理,如絲光
D06M11-01 .用氫、水或重水;用金屬氫化物或其配合物;用硼烷、二硼烷、硅烷、二硅烷、膦、二膦、、二、胂、二胂或它們的配合物
D06M11-07 .用鹵素;用氫鹵酸或其鹽,用氧化物或鹵素的含氧酸或其鹽
D06M11-32 .用氧、臭氧、臭氧化物、氧化物、氫氧化物或過化合物;從具有兩性元素—氧鍵的陰離子衍生的鹽
D06M11-51 .用硫、硒、碲、釙或其化合物
D06M11-58 .用氮或其化合物;如硝酸鹽





