[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611062638.3
• 申請(qǐng)日: 2016-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN108122991B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁波;劉玉成;高勝;徐琳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京國昊天誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

本申請(qǐng)公開了一種薄膜晶體管及其制作方法。該薄膜晶體管包括：第二絕緣層以及第三絕緣層，第二絕緣層位于第一電極、第二電極以及第一絕緣層的上方，第三絕緣層位于第二絕緣層、第四電極、第一絕緣層以及第三電極的上方，其中：第二絕緣層用于分隔作為電容器兩個(gè)電極的第二電極和第四電極；第三絕緣層用于分隔氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管中的第三電極和半導(dǎo)體氧化物溝道。在該薄膜晶體管中由于通過第二絕緣層來分隔電容器的兩個(gè)電極，并通過第三絕緣層來分隔氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管中的柵極和半導(dǎo)體氧化物溝道，因此可以通過分別控制第二絕緣層和第三絕緣層的厚度，來滿足電容器和氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管對(duì)厚度調(diào)節(jié)的需要。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及晶體管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法。

背景技術(shù)

在日常生活中，人們通常會(huì)接觸到用于向用戶展示信息的顯示器，這些顯示器可以包括液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器等。顯示器中通常會(huì)包括薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，TFT)，并且在該顯示器中，薄膜晶體管能夠作為像素的驅(qū)動(dòng)開關(guān)控制所施加的顯示信號(hào)，因此薄膜晶體管在顯示器中具有重要作用。

隨著顯示器分辨率的增大以及器件所需的驅(qū)動(dòng)電流的減小，單一的低溫多晶硅薄膜晶體管或者氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管已經(jīng)不能滿足實(shí)際需要。因此，利用低溫多晶硅和氧化物半導(dǎo)體相結(jié)合的技術(shù)，制作由低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管以及電容器組成的混合薄膜晶體管越來越受到業(yè)內(nèi)的關(guān)注。如圖1所示為實(shí)際應(yīng)用中常見的混合薄膜晶體管的橫截面圖，該混合薄膜晶體管由低溫多晶硅薄膜晶體管11、電容器12以及氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管13三部分構(gòu)成，并且在該圖1中，低溫多晶硅薄膜晶體管11采用的是“頂柵”設(shè)計(jì)(在該低溫多晶硅薄膜晶體管11中，電極112設(shè)置在有源層113的頂部，電極112和有源層113之間通過對(duì)應(yīng)的絕緣層111隔開)，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管13采用的是“底柵”設(shè)計(jì)(在該氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管13中，電極132設(shè)置在有源層133的底部，電極132和有源層133之間通過對(duì)應(yīng)的絕緣層131隔開)。

在混合薄膜晶體管的制作過程中，通常采用逐層制作的方式。以圖1中的混合薄膜晶體管的制作為例，首先在基板101上形成緩沖層102，然后在緩沖層102上形成多晶硅溝道(n+)和有源層113，然后形成絕緣層111，并在形成絕緣層111之后，在絕緣層111之上分別形成電極112、電極122和電極132，然后形成絕緣層131，并在之后依次形成混合薄膜晶體管的其他部分，最終完成混合薄膜晶體管的制作。

然而，現(xiàn)有技術(shù)的這種混合薄膜晶體管的制作方法，在形成諸如圖1中的絕緣層131時(shí)，所形成的絕緣層131的厚度，在混合薄膜晶體管的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管13以及電容器12中基本相同，但是由于這兩個(gè)部分各自性質(zhì)的不同，對(duì)絕緣層131的厚度的要求并不相同，從而影響所制作的薄膜晶體管的整體性能。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法，能夠用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：第二絕緣層以及第三絕緣層，所述第二絕緣層位于第一電極、第二電極以及第一絕緣層的上方，所述第一絕緣層用于分隔低溫多晶硅薄膜晶體管中的第一電極和多晶硅溝道，所述第三絕緣層位于所述第二絕緣層、第四電極、所述第一絕緣層以及第三電極的上方，其中：

所述第二絕緣層用于分隔作為電容器兩個(gè)電極的第二電極和第四電極；

所述第三絕緣層用于分隔氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管中的第三電極和半導(dǎo)體氧化物溝道。

優(yōu)選的，所述薄膜晶體管還包括：

設(shè)置在所述第二絕緣層和所述第三絕緣層之間，并且位于所述第四電極上方的第四絕緣層。

優(yōu)選的，所述第一絕緣層具體為：利用氧化硅制作的第一氧化硅絕緣層；

所述第二絕緣層具體為：利用氮化硅制作的第二氮化硅絕緣層；