[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201611062638.3
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN108122991B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發明（設計）人: 袁波;劉玉成;高勝;徐琳
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：第二絕緣層(26)以及第三絕緣層(27)，所述第二絕緣層(26)位于第一電極(251)、第二電極(252)以及第一絕緣層(24)的上方，所述第一絕緣層(24)用于分隔低溫多晶硅薄膜晶體管(2a)中的第一電極(251)和多晶硅溝道(23)，所述第三絕緣層(27)位于所述第二絕緣層(26)、第四電極(254)、所述第一絕緣層(24)以及第三電極(253)的上方，其中：

所述第二絕緣層(26)用于分隔作為電容器(2b)兩個電極的第二電極(252)和第四電極(254)；

所述第三絕緣層(27)用于分隔氧化物半導體薄膜晶體管(2c)中的第三電極(253)和半導體氧化物溝道(28)；

在所述第一絕緣層(24)上沉積金屬層，對所述金屬層進行圖案化處理生成至少三個電極，所述電極包括所述第一電極(251)、所述第三電極(253)以及與所述第一電極(251)相鄰的所述第二電極(252)。

2.如權利要求1所述薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

設置在所述第二絕緣層(26)和所述第三絕緣層(27)之間，并且位于所述第四電極(254)上方的第四絕緣層(213)。

3.如權利要求2所述薄膜晶體管，其特征在于，

所述第一絕緣層(24)具體為：利用氧化硅制作的第一氧化硅絕緣層；

所述第二絕緣層(26)具體為：利用氮化硅制作的第二氮化硅絕緣層；

所述第三絕緣層(27)具體為：利用氧化硅制作的第三氧化硅絕緣層；

所述第四絕緣層(213)具體為：利用氮化硅制作的第四氮化硅絕緣層。

4.如權利要求1所述薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

位于所述第三絕緣層(27)以及所述半導體氧化物溝道(28)上方的刻蝕阻擋層(29)。

5.如權利要求1所述薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

位于所述第一絕緣層(24)以及多晶硅溝道(23)下方的緩沖層(22)；以及，

位于所述緩沖層(22)下方的基板(21)。

6.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在第一絕緣層(24)、第一電極(251)、第三電極(253)以及與所述第一電極(251)相鄰的第二電極(252)上沉積待刻蝕絕緣層(91)，所述第一絕緣層(24)用于分隔低溫多晶硅薄膜晶體管(2a)中的所述第一電極(251)以及多晶硅溝道(23)；

在所述待刻蝕絕緣層(91)上涂覆光刻膠層(92)，并在所述光刻膠層(92)上方與所述第一電極(251)和第二電極(252)對應的位置增加隔光板(93)；

在所述隔光板(93)隔光下對所述光刻膠層(92)進行曝光，并經過顯影和成膜，使得在所述光刻膠層(92)中與第三電極(253)對應的位置形成缺口；

以形成缺口之后的光刻膠層(92)作為掩膜，對所述待刻蝕絕緣層(91)進行刻蝕，形成第二絕緣層(26)；

在移除所述光刻膠層之后，在所述第二絕緣層(26)上方與所述第二電極(252)相對應的位置形成第四電極(254)，使得所述第二絕緣層(26)分隔所述第二電極(252)和所述第四電極(254)；

在所述第二絕緣層(26)、所述第四電極(254)、所述第一絕緣層(24)以及所述第三電極(253)上方沉積第三絕緣層(27)；

在所述第三絕緣層(27)上方與所述第三電極(253)相對應的位置形成半導體氧化物溝道(28)，使得所述第三絕緣層(27)分隔所述第三電極(253)和所述半導體氧化物溝道(28)。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

在第一絕緣層(24)、第一電極(251)、第三電極(253)以及與所述第一電極(251)相鄰的第二電極(252)上沉積待刻蝕絕緣層(91)，具體包括：

在第一絕緣層(24)、第一電極(251)、第三電極(253)以及與所述第一電極(251)相鄰的第二電極(252)上通過沉積氮化硅，以形成待刻蝕絕緣層(91)。