[發(fā)明專利]具有外部和內(nèi)部地址標記的圖像傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611060624.8 | 申請日: | 2016-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN107305900B | 公開(公告)日: | 2021-01-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金鐘殷;金男鎰;金大宇;樸昶洙;禹東鉉 | 申請(專利權(quán))人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 外部 內(nèi)部 地址 標記 圖像傳感器 | ||
提供一種圖像傳感器,具有:包括以矩陣形式設置的多個像素塊的像素區(qū)域、像素區(qū)域周圍的外部地址標記、多個像素塊之間的間隙以及設置在間隙中的內(nèi)部地址標記。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2016年4月25日提交的第10-2016-0050027號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán),該案通過引用整體合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例涉及一種具有多種地址標記的圖像傳感器。
背景技術(shù)
圖像傳感器是一種將光學圖像轉(zhuǎn)換為電信號的設備。近年來,隨著計算機工業(yè)和通信工業(yè)的發(fā)展,在各種領(lǐng)域諸如數(shù)碼相機、便攜式攝像機、PCS(個人通信系統(tǒng))、游戲機、監(jiān)控攝像機、醫(yī)學微型攝像機和機器人等,對于具有提高的集成度和性能的圖像傳感器的需求在增加。近來,一項通過感測光的相位差來執(zhí)行自動聚焦的技術(shù)受到關(guān)注。
為了在圖像傳感器的像素陣列的制造過程中檢查缺陷以及故障像素,需要指定每一像素的位置的地址標記。具體地,在通過使用肉眼、光學顯微鏡或者電子顯微鏡檢查故障像素的情況下,需要參照點或者參照地址標記以方便找到特定像素的位置。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的各種實施例提供一種具有外部地址標記和內(nèi)部地址標記的圖像傳感器。
根據(jù)一個實施例的圖像傳感器可以包括:有源層,其包括像素塊和間隙;外部有源地址標記,其位于有源層之外;以及內(nèi)部有源地址標記,其位于有源層中和間隙中。像素塊可以以矩陣形式布置。間隙可以設置在像素塊之間。
間隙可以包括垂直間隙和水平間隙。垂直間隙可以垂直延伸穿過有源層。水平間隙可以水平延伸穿過有源層。
內(nèi)部有源地址標記可以包括內(nèi)部有源塊地址標記和內(nèi)部有源像素地址標記。內(nèi)部有源塊地址標記可以位于垂直間隙和水平間隙的交叉處。內(nèi)部有源像素地址標記可以位于垂直間隙或者水平間隙中的至少一個處。
所述內(nèi)部有源地址標記可以具有淺溝槽隔離(STI)形狀。
圖像傳感器還可以包括:柵極層,形成在有源層之上并且包括柵極圖案;內(nèi)部柵極塊地址標記,形成在柵極層中并且與內(nèi)部有源塊地址標記對齊;以及內(nèi)部柵極像素地址標記,形成在柵極層中并且與內(nèi)部有源像素地址標記對齊。內(nèi)部柵極塊地址標記和內(nèi)部柵極像素地址標記中的每一個可以位于與柵極圖案相同的水平高度。
圖像傳感器還可以包括:金屬層,形成在有源層之上并且包括金屬圖案;內(nèi)部金屬塊地址標記,形成在金屬層中并且與內(nèi)部有源塊地址標記對齊;以及內(nèi)部金屬像素地址標記,形成在金屬層中并且與內(nèi)部有源像素地址標記對齊。內(nèi)部金屬塊地址標記和內(nèi)部金屬像素地址標記中的每一個可以位于與金屬圖案相同的水平高度。
圖像傳感器還可以包括:微透鏡層,形成在有源層之上并且包括圖案區(qū)域和無圖案區(qū)域;以及微透鏡,以矩陣形式設置在圖案區(qū)域中。無圖案區(qū)域可以包括外部無圖案區(qū)域和內(nèi)部無圖案區(qū)域。外部無圖案區(qū)域可以與外部有源地址標記對齊。內(nèi)部無圖案區(qū)域可以與內(nèi)部有源地址標記對齊。
圖像傳感器還可以包括:彩色濾光層,形成在微透鏡層和有源層之間,并且包括濾光區(qū)域和非濾光區(qū)域;以及彩色濾光器,以矩陣形式設置在濾光區(qū)域上,并且不設置在非濾光區(qū)域上。非濾光區(qū)域可以包括外部非濾光區(qū)域和內(nèi)部非濾光區(qū)域。外部非濾光區(qū)域可以與外部無圖案區(qū)域和外部有源地址標記對齊。內(nèi)部非濾光區(qū)域可以與內(nèi)部無圖案區(qū)域和內(nèi)部有源地址標記對齊。
根據(jù)一個實施例的圖像傳感器可以包括:像素陣列,其包括有源層、柵極層、金屬層以及微透鏡層,并且像素陣列可以包括像素塊和像素塊之間的間隙。圖像傳感器可以包括設置在間隙中的地址標記。
有源層可以包括設置在襯底中的有源區(qū)域和淺溝槽隔離(STI)圖案。地址標記可以包括設置在襯底中的有源地址標記。淺溝槽隔離(STI)圖案和有源地址標記可以設置于同一水平高度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于愛思開海力士有限公司,未經(jīng)愛思開海力士有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611060624.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





