[發(fā)明專利]具有外部和內部地址標記的圖像傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611060624.8 | 申請日: | 2016-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN107305900B | 公開(公告)日: | 2021-01-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金鐘殷;金男鎰;金大宇;樸昶洙;禹東鉉 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 外部 內部 地址 標記 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
有源層,包括像素塊和間隙,其中,所述像素塊以矩陣形式布置,其中,所述間隙設置在像素塊之間;
外部有源地址標記,位于所述有源層之外;
內部有源地址標記,位于所述有源層中和所述間隙中;
柵極層,形成在所述有源層之上并且包括柵極圖案;
外部柵極地址標記,位于所述柵極層之外并且與所述外部有源地址標記垂直對齊;
金屬層,形成在所述柵極層之上并且包括金屬圖案;以及
外部金屬地址標記,位于所述金屬層之外并且與所述外部柵極地址標記垂直對齊;
其中,所述外部有源地址標記指示所述像素塊的開始位置、結束位置或具體位置,以及
其中,所述內部有源地址標記將所述像素塊彼此區(qū)分開。
2.如權利要求1所述的圖像傳感器,
其中,所述間隙包括垂直間隙和水平間隙;
其中,所述垂直間隙垂直延伸穿過所述有源層;以及
其中,所述水平間隙水平延伸穿過所述有源層。
3.如權利要求2所述的圖像傳感器,
其中,所述內部有源地址標記包括內部有源塊地址標記和內部有源像素地址標記;
其中,所述內部有源塊地址標記位于所述垂直間隙和所述水平間隙的交叉處;以及
其中,所述內部有源像素地址標記位于所述垂直間隙或所述水平間隙中的至少一個處。
4.如權利要求3所述的圖像傳感器,其中,所述內部有源地址標記具有淺溝槽隔離STI形狀。
5.如權利要求3所述的圖像傳感器,還包括:
內部柵極地址標記,位于所述柵極層中,
其中,所述內部柵極地址標記包括:
內部柵極塊地址標記,其與所述內部有源塊地址標記垂直對齊;以及
內部柵極像素地址標記,其與所述內部有源像素地址標記垂直對齊;
其中,所述內部柵極塊地址標記和所述內部柵極像素地址標記中的每一個位于與所述柵極圖案相同的水平高度。
6.如權利要求3所述的圖像傳感器,還包括:
內部金屬地址標記,位于所述金屬層中,
其中,所述內部金屬地址標記包括:
內部金屬塊地址標記,其與所述內部有源塊地址標記垂直對齊;以及
內部金屬像素地址標記,其與所述內部有源像素地址標記垂直對齊;
其中,所述內部金屬塊地址標記和所述內部金屬像素地址標記中的每一個位于與所述金屬圖案相同的水平高度。
7.一種圖像傳感器,包括:
有源層,包括像素塊和間隙,其中,所述像素塊以矩陣形式布置,其中,所述間隙設置在像素塊之間;
外部有源地址標記,位于所述有源層之外;
內部有源地址標記,位于所述有源層中和所述間隙中
微透鏡層,形成在所述有源層之上并且包括圖案區(qū)域和無圖案區(qū)域;以及
微透鏡,以矩陣形式設置在所述圖案區(qū)域中;
其中,無圖案區(qū)域包括外部無圖案區(qū)域和內部無圖案區(qū)域;
其中,外部無圖案區(qū)域與所述外部有源地址標記對齊;
其中,內部無圖案區(qū)域與所述內部有源地址標記對齊,
其中,所述外部有源地址標記指示所述像素塊的開始位置、結束位置或具體位置,以及
其中,所述內部有源地址標記將所述像素塊彼此區(qū)分開。
8.如權利要求7所述的圖像傳感器,還包括:
彩色濾光層,形成在所述微透鏡層和所述有源層之間,并且包括濾光區(qū)域和非濾光區(qū)域;以及
彩色濾光器,以矩陣形式設置在所述濾光區(qū)域上,并且不設置在所述非濾光區(qū)域上;
其中,非濾光區(qū)域包括外部非濾光區(qū)域和內部非濾光區(qū)域;
其中,外部非濾光區(qū)域與所述外部無圖案區(qū)域和所述外部有源地址標記對齊;以及
其中,所述內部非濾光區(qū)域與所述內部無圖案區(qū)域和所述內部有源地址標記對齊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





