[發明專利]晶片的加工方法和加工裝置

有效

• 申請號: 201611059362.3
• 申請日: 2016-11-25
• 公開（公告）號: CN106881535B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 能丸圭司
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;B23K26/382;B23K26/046;B23K26/70
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

本發明的課題在于提供晶片的加工方法和加工裝置，能夠維持所限制的脈沖激光光線的最大重復頻率，并且在多個部位同時地形成通孔。根據本發明，該晶片的加工方法具有如下的步驟：橢圓軌道生成步驟，將4個器件作為一個群組而生成通過各器件中的配設于相同位置的4個電極墊的包含圓在內的橢圓軌道；激光光線照射步驟，一邊描繪該橢圓軌道一邊從晶片的背面向與該4個電極墊對應的位置照射脈沖激光光線；以及橢圓軌道定位步驟，對該橢圓軌道進行定位以使該橢圓軌道通過與接下來應該加工的4個電極墊對應的位置，一邊對該晶片與脈沖激光光線照射單元相對地加工進給一邊依次實施該激光光線照射步驟和該橢圓軌道定位步驟而實施通孔加工。

技術領域

本發明涉及晶片的加工方法和加工裝置，與配設于半導體晶片等被加工物上的器件的電極墊對應地形成激光加工孔。

背景技術

在半導體器件制造工序中，在作為大致圓板形狀的半導體晶片的正面上由呈格子狀排列的被稱為間隔道的分割預定線而劃分出多個區域，在該劃分出的區域中形成IC、LSI等器件。并且，通過沿著間隔道對半導體晶片進行切斷而對形成有器件的區域進行分割從而制造出一個個的半導體芯片。

為了實現裝置的小型化、高功能化，提出了如下的模塊構造：對多個器件進行層疊，并將設置于所層疊的器件上的電極墊(也稱為焊盤)連接。該模塊構造采用如下的結構(例如參照專利文獻1。)：對半導體晶片中的設置有電極墊的部位照射激光光線而形成達到該電極墊的通孔(激光加工孔)，在該通孔(激光加工孔)中埋入與電極墊連接的鋁等導電性材料。

專利文獻1：日本特開2008-062261號公報

為了形成上述通孔，必須向一個部位多次照射脈沖激光光線，為了實現生產效率的提高，需要提高脈沖激光光線的重復頻率。但是，存在如下的問題：當以較高的重復頻率向一個部位連續地照射脈沖激光光線時，因熱積存而在晶片上產生裂紋，器件的品質降低。

發明內容

并且，還存在如下的情況：雖然根據要制造的器件而不同，但為了不會因通孔加工而產生裂紋而對用于加工的脈沖激光光線的重復頻率進行限制(例如，為10kHz)。因此，本發明要解決的技術性課題在于，提供晶片的加工方法和加工裝置，既維持受限制的脈沖激光光線的最大重復頻率，也能夠在多個部位同時地形成通孔。

為了解決上述主要的技術性課題，根據本發明，提供一種晶片的加工方法，多個器件由分割預定線劃分而形成于該晶片的正面上，其中，該晶片的加工方法具有如下的步驟：位置信息存儲步驟，與各器件在該晶片中的位置信息一同，對各器件上所形成的多個電極墊在各器件中的位置信息進行存儲；橢圓軌道生成步驟，將彼此兩兩相鄰的4個器件作為一個群組而生成通過各器件中的配設于相同位置的4個電極墊的包含圓在內的橢圓軌道；激光光線照射步驟，一邊描繪該橢圓軌道一邊利用脈沖激光光線照射單元對與該4個電極墊對應的位置照射脈沖激光光線；以及橢圓軌道定位步驟，對該橢圓軌道進行定位以使該橢圓軌道通過與接下來應該加工的4個電極墊對應的位置，在該晶片的加工方法中，一邊對該晶片與脈沖激光光線照射單元相對地進行加工進給，一邊依次實施該激光光線照射步驟和該橢圓軌道定位步驟而對該晶片實施通孔加工，該通孔加工用于形成與該電極墊對應的通孔。

優選在該激光光線照射步驟中，在該橢圓軌道被定位成通過該4個電極墊的狀態下實施將多個脈沖激光光線照射到與該4個電極墊對應的位置的通孔加工。

能夠通過對構成一個群組的該4個器件執行該激光光線照射步驟，在激光光線的照射為第1次的2個器件中局部性地實施通孔加工，在已經局部性地執行了通孔加工而激光光線的照射為第2次的另外的2個器件中對剩余的未加工的部分實施通孔加工，由此完成對于該另外的2個器件的所有的電極墊的通孔加工，將通過實施該激光光線照射步驟而與所有的電極墊對應地完成了通孔加工的2個器件從該群組中分離，由局部性地進行了通孔加工的2個器件和在加工進給方向上相鄰的未加工的2個器件結成新的群組，將該橢圓軌道定位于新的群組所包含的4個器件，而依次實施該激光光線照射步驟和該橢圓軌道定位步驟。