[發(fā)明專利]用于制造靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611058662.X
• 申請(qǐng)日: 2016-11-23
• 公開（公告）號(hào): CN107068619B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖忠志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8244
• 分類號(hào): H01L21/8244
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造包括多個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)器件的方法，所述方法包括：

在襯底上方形成絕緣層；

在所述絕緣層上方形成第一偽圖案；

在所述第一偽圖案的側(cè)壁上形成作為第二偽圖案的側(cè)壁間隔件層；

去除所述第一偽圖案，從而在所述絕緣層上方留下在所述第二偽圖案的長(zhǎng)度方向上延伸的所述第二偽圖案；

在去除所述第一偽圖案之后，將所述第二偽圖案的每一個(gè)分割成多塊第二偽圖案，分割后的多塊第二偽圖案在所述第二偽圖案的寬度方向上交錯(cuò)布置；

在所述絕緣層上方以及在所述多塊第二偽圖案之間形成掩模層；

在形成所述掩模層之后，去除所述多塊第二偽圖案，從而形成具有對(duì)應(yīng)于所述多塊第二偽圖案的開口的硬掩模層；

通過將所述硬掩模層用作蝕刻掩模來圖案化所述絕緣層，從而在所述絕緣層中形成貫通開口；以及

在所述貫通開口中填充分別連接至所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單位單元的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和漏極的導(dǎo)電材料，從而形成接觸條。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

形成所述第一偽圖案包括：

在所述絕緣層上方形成第一材料層；

在所述第一材料層上方形成光刻膠層；

通過使用第一光掩模來圖案化所述光刻膠層，和

通過將圖案化的所述光刻膠層用作蝕刻掩模來圖案化所述第一材料層，從而形成所述第一偽圖案，以及

在所述第一光掩模中，僅有一個(gè)在所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件的行方向上延伸的矩形圖案包括在對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單位單元的每一個(gè)的區(qū)域中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單位單元的每一個(gè)的區(qū)域中，一個(gè)所述第二偽圖案設(shè)置在所述區(qū)域中，并且兩個(gè)所述第二偽圖案設(shè)置在所述區(qū)域的在行方向上延伸的上邊界和下邊界上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單位單元的每一個(gè)均包括六個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一偽圖案由不同于所述第二偽圖案的材料制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二偽圖案由不同于所述掩模層的材料制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過在兩次光刻操作中使用兩個(gè)光掩模來形成所述貫通開口。

8.一種制造包括多個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)器件的方法，所述方法包括：

在襯底上方形成絕緣層；

在所述絕緣層上方形成第一掩模層；

在所述第一掩模層上方形成第一偽圖案；

在所述第一偽圖案的側(cè)壁上形成作為第二偽圖案的側(cè)壁間隔件層；

去除所述第一偽圖案，從而在所述第一掩模層上方留下在所述第二偽圖案的長(zhǎng)度方向上延伸的所述第二偽圖案；

在去除所述第一偽圖案之后，將所述第二偽圖案的每一個(gè)均分割成在所述第二偽圖案的寬度方向上交錯(cuò)布置的多塊第二偽圖案；

在所述第一掩模層上方以及在所述多塊第二偽圖案之間形成第二掩模層；

在形成所述第二掩模層之后，去除所述多塊第二偽圖案，從而形成具有對(duì)應(yīng)于所述多塊第二偽圖案的開口的第一硬掩模層；

通過將所述第一硬掩模層用作蝕刻掩模來圖案化所述第一掩模層，從而形成第二硬掩模層；

通過將所述第二硬掩模層用作蝕刻掩模來圖案化所述絕緣層，從而在所述絕緣層中形成貫通開口；以及

在所述貫通開口中填充連接至所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單位單元的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和漏極的導(dǎo)電材料，從而形成接觸條。