[發明專利]用于制造靜態隨機存取存儲器件的方法

有效

• 申請號: 201611058662.X
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN107068619B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明的實施例提供了制造SRAM器件的方法。在制造SRAM器件的方法中，在襯底上方形成絕緣層。在絕緣層上方形成第一偽圖案。在第一偽圖案的側壁上形成作為第二偽圖案的側壁間隔件層。去除第一偽圖案，從而在絕緣層上方留下第二偽圖案。在去除第一偽圖案之后，分割第二偽圖案。在絕緣層上方以及在分割的第二偽圖案之間形成掩模層。在形成掩模層之后，去除多塊第二掩模圖案，從而形成具有對應于圖案化的第二偽圖案的開口的硬掩模層。通過將硬掩模層用作蝕刻掩模形成絕緣層，從而在絕緣層中形成貫通開口。在貫通開口中填充導電材料，從而形成接觸條。

技術領域

本發明的實施例涉及半導體器件，更具體地，涉及用于制造具有鰭式場效應晶體管(FinFET)器件的SRAM(靜態隨機存取存儲器)的方法。

背景技術

在追求更高的器件密度、更高的性能、更低功耗和更低的成本的過程中，半導體工業在已經進入到納米級技術工藝節點，來自制造和設計問題的挑戰已經催生了諸如鰭式場效應晶體管(FinFET)的三維設計的發展。在FinFET器件中，利用附加側壁以及抑制短溝道效應是有可能的。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供了一種制造包括多個SRAM單元的靜態隨機存取存儲器(SRAM)器件的方法，所述方法包括：在襯底上方形成絕緣層；在所述絕緣層上方形成第一偽圖案；在所述第一偽圖案的側壁上形成作為第二偽圖案的側壁間隔件層；去除所述第一偽圖案，從而在所述絕緣層上方留下所述第二偽圖案；在去除所述第一偽圖案之后，將所述第二偽圖案的每一個分割成多塊第二偽圖案；在所述絕緣層上方以及在所述多塊第二偽圖案之間形成掩模層；在形成所述掩模層之后，去除所述多塊第二偽圖案，從而形成具有對應于所述多塊第二偽圖案的開口的硬掩模層；通過將所述硬掩模層用作蝕刻掩模來圖案化所述絕緣層，從而在所述絕緣層中形成貫通開口；以及在所述貫通開口中填充導電材料，從而形成接觸條。

根據本發明的另一方面，提供了一種制造包括多個SRAM單元的靜態隨機存取存儲器(SRAM)器件的方法，所述方法包括：在襯底上方形成絕緣層；在所述絕緣層上方形成第一掩模層；在所述第一掩模層上方形成第一偽圖案；在所述第一偽圖案的側壁上形成作為第二偽圖案的側壁間隔件層；去除所述第一偽圖案，從而在所述第一掩模層上方留下所述第二偽圖案；在去除所述第一偽圖案之后，將所述第二偽圖案的每一個均分割成多塊第二偽圖案；在所述第一掩模層上方以及在所述多塊第二偽圖案之間形成第二掩模層；在形成所述第二掩模層之后，去除所述多塊第二偽圖案，從而形成具有對應于所述多塊第二偽圖案的開口的第一硬掩模層；通過將所述第一硬掩模層用作蝕刻掩模來圖案化所述第一掩模層，從而形成第二掩模層；通過將所述第二硬掩模層用作蝕刻掩模來圖案化所述絕緣層，從而在所述絕緣層中形成貫通開口；以及在所述貫通開口中填充導電材料，從而形成接觸條。

根據本發明的又一方面，提供了一種制造包括多個SRAM單元的靜態隨機存取存儲器(SRAM)器件的方法，所述方法包括：在襯底上方形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上方形成第一層；在所述第一層上方形成第一偽圖案；在所述第一偽圖案的側壁上形成作為第二偽圖案的側壁間隔件層；去除所述第一偽圖案，從而在所述第一層上方留下所述第二偽圖案；將所述第二偽圖案的每一個均分割成多塊第二偽圖案；通過將所述多塊第二偽圖案用作蝕刻掩模來圖案化所述第一層，從而形成柵極圖案。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，根據下面詳細的描述可以更好地理解本發明的各個方面。需要強調的是，根據行業的標準實踐，各個部件未按比例繪制，并且僅用于說明目的。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意地增大或縮小。

圖1為SRAM單位單元的示例性電路圖。

圖2為根據本發明的一個實施例的SRAM單位單元的示例性布局。

圖3為多個SRAM單位單元的示例性布置。

圖4為根據本發明的一個實施例的多個SRAM單位單元的示例性布置。